[发明专利]一种镍铁锌氧体铁电薄膜存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201710522810.7 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107331664A | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 葛鹏祖;唐新桂;李蕊;刘秋香;蒋艳平 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L27/11507 | 分类号： | H01L27/11507 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 510062 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种镍铁锌氧体铁电薄膜存储器，包括依次接触的基底、导电薄膜和铁电薄膜，以及设置在所述导电薄膜上的底电极和设置在铁电薄膜上的顶电极；所述导电薄膜为LaNiO3；所述铁电薄膜为Ni0.5Zn0.5Fe2O4。本发明以尖晶石铁氧体Ni0.5Zn0.5Fe2O4为铁电薄膜层，得到的存储器剩余极化强度高，漏电流密度低。本发明还提供了一种镍铁锌氧体铁电薄膜存储器的制备方法，本发明中的制备方法制得的Ni0.5Zn0.5Fe2O4铁电薄膜微观结构更加均匀，薄膜表面的氧空位和孔洞少，使得本发明中的存储器具有较高的剩余极化强度和较低的漏电流密度，并且制备方法简单方便，便于大规模工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 镍铁锌氧体铁电 薄膜 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种镍铁锌氧体铁电薄膜存储器，包括依次接触的基底、导电薄膜和铁电薄膜，以及设置在所述导电薄膜上的底电极和设置在铁电薄膜上的顶电极；所述导电薄膜为LaNiO3；所述铁电薄膜为Ni0.5Zn0.5Fe2O4。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东工业大学，未经广东工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710522810.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
