[发明专利]一种稀磁半导体薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201810560497.0 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN108707864A | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 彭寿;沈洪雪;姚婷婷;杨勇;李刚 | 申请（专利权）人： | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种稀磁半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面油污和杂质；S2、采用磁控溅射设备，以Cu靶和Al靶为溅射靶材，衬底置于磁控溅射设备的真空腔室内，通入溅射气体Ar，反应气体N2，在衬底表面溅镀得到 Cu掺杂AlN稀磁半导体薄膜；两个靶材相互独立，工艺参数可根据需要进行独立设定，可进行任意掺杂浓度稀磁半导体薄膜的制备；整个镀膜过程只进行Cu膜与AlN薄膜的镀制，过程简单，变量较少；制备工艺简单，重复性好，并且可节约大量靶材的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 稀磁半导体薄膜 制备 磁控溅射设备 衬底表面 靶材 衬底 掺杂 独立设定 镀膜过程 反应气体 溅射靶材 溅射气体 制备工艺 真空腔 油污 镀制 溅镀 去除 清洗 室内 节约 | ||
【主权项】：
1.一种稀磁半导体薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面油污和杂质；S2、采用磁控溅射设备，以Cu靶和Al靶为溅射靶材，衬底置于磁控溅射设备的真空腔室内，通入溅射气体Ar，反应气体N2，在衬底表面溅镀得到 Cu掺杂AlN稀磁半导体薄膜。
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