[发明专利]一种薄膜芯片的制备工艺及薄膜芯片在审
| 申请号： | 201810557066.9 | 申请日： | 2018-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN110556451A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 赵兴武 | 申请（专利权）人： | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/048;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 11319 北京润泽恒知识产权代理有限公司 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜芯片的制备工艺和薄膜芯片，其中，薄膜芯片的制备工艺包括：制备基板；对所述基板进行轧制，使基板的第一表面呈凹凸形；在所述基板的第一表面上，采用共蒸发或溅射技术，形成发电涂层；其中，所述发电涂层与第一表面具有相同的凹凸形；在所述发电涂层的凹面沟壑设置导电丝；在所述发电涂层和所述导电丝上形成第一胶层；在所述第一胶层上形成封装层，获得所述薄膜芯片。在本发明实施例中，在凹凸形的基板上形成同样是凹凸形的发电涂层，增大了发电涂层的有效面积，提高了薄膜芯片光伏组件单位面积的转化效率和发电功率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜芯片 凹凸形 发电 基板 第一表面 制备工艺 导电丝 胶层 轧制 发电功率 光伏组件 有效面积 制备基板 转化效率 封装层 共蒸发 凹面 溅射 沟壑 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜芯片的制备工艺，其特征在于，所述制备工艺包括：/n制备基板；/n对所述基板进行轧制，使基板的第一表面呈凹凸形；/n在所述基板的第一表面上，采用共蒸发或溅射技术，形成发电涂层；其中，所述发电涂层与第一表面具有相同的凹凸形；/n在所述发电涂层的凹面沟壑设置导电丝；/n在所述发电涂层和所述导电丝上形成第一胶层；/n在所述第一胶层上形成封装层，获得所述薄膜芯片。/n
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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