[发明专利]一种薄膜芯片的制备工艺及薄膜芯片

权利要求书

1.一种薄膜芯片的制备工艺，其特征在于，所述制备工艺包括：

制备基板；

对所述基板进行轧制，使基板的第一表面呈凹凸形；

在所述基板的第一表面上，采用共蒸发或溅射技术，形成发电涂层；其中，所述发电涂层与第一表面具有相同的凹凸形；

在所述发电涂层的凹面沟壑设置导电丝；

在所述发电涂层和所述导电丝上形成第一胶层；

在所述第一胶层上形成封装层，获得所述薄膜芯片。

2.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述制备基板，包括：

提供纤维板或背板钢化玻璃板；

在所述纤维板或背板钢化玻璃板上形成第二胶层；

在所述第二胶层上形成金属衬底，获得所述基板；

则对所述基板进行轧制，使基板的第一表面呈凹凸形，包括：

对所述金属衬底进行轧制，使金属衬底和第二胶层的第二表面呈凹凸形；其中，所述第二表面为所述第二胶层接触所述金属衬底的一面；

则所述基板的第一表面为基板中金属衬底所在的一面。

3.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述发电涂层的材料为：铜铟镓硒。

4.根据权利要求2所述的制备工艺，其特征在于，当制备所述基板提供的是纤维板时，则所述封装层为纤维耐磨板。

5.根据权利要求2所述的制备工艺，其特征在于，当制备所述基板提供的是背板钢化玻璃时，所述封装层为前板钢化玻璃。

6.根据权利要求5所述的制备工艺，其特征在于，当所述封装层为前板钢化玻璃时，所述在所述第一胶层上形成封装层的步骤之后，还包括：

在所述封装层上形成防反光膜。

7.一种薄膜芯片，其特征在于，所述薄膜芯片，包括：

依次复合的基板、发电涂层、第一胶层和封装层；

其中，所述基板的第一表面呈凹凸形，所述第一表面为所述基板接触发电涂层的一面；

所述发电涂层呈现于第一表面相同的凹凸形；

在所述发电涂层与所述第一胶层之间，所述发电涂层的凹面沟壑具有导电丝。

8.根据权利要求7所述的薄膜芯片，其特征在于，当所述封装层的材料为前板钢化玻璃，则所述薄膜芯片，还包括：

在所述封装层上的防反光膜。

9.根据权利要求7所述的薄膜芯片，其特征在于，所述凹凸形包括：规则或不规则的波浪形或粗麻网状形。