[发明专利]一种薄膜芯片的制备工艺及薄膜芯片

说明书

本发明提供一种薄膜芯片的制备工艺和薄膜芯片，其中，薄膜芯片的制备工艺包括：制备基板；对所述基板进行轧制，使基板的第一表面呈凹凸形；在所述基板的第一表面上，采用共蒸发或溅射技术，形成发电涂层；其中，所述发电涂层与第一表面具有相同的凹凸形；在所述发电涂层的凹面沟壑设置导电丝；在所述发电涂层和所述导电丝上形成第一胶层；在所述第一胶层上形成封装层，获得所述薄膜芯片。在本发明实施例中，在凹凸形的基板上形成同样是凹凸形的发电涂层，增大了发电涂层的有效面积，提高了薄膜芯片光伏组件单位面积的转化效率和发电功率。

技术领域

本发明涉及芯片技术领域，尤其涉及一种薄膜芯片的制备工艺及薄膜芯片。

背景技术

目前，太阳能电池多为平板组件，并且组件内部的薄膜芯片也呈平面分布，属于比较正态的二维分布模式。

现有技术中，呈平面分布的薄膜芯片，在有限的平面内，发电元素决定了单位面积光伏组件的转换效率和功率，使光伏转换效果较差。

发明内容

本发明提供一种薄膜芯片的制备工艺，以解决现有技术中，平面结构的薄膜芯片的光伏转换效果较差的问题。

本发明一方面，提供了一种薄膜芯片的制备工艺，该工艺包括：

制备基板；

对所述基板进行轧制，使基板的第一表面呈凹凸形；

在所述基板的第一表面上，采用共蒸发或溅射技术，形成发电涂层；其中，所述发电涂层与第一表面具有相同的凹凸形；

在所述发电涂层的凹面沟壑设置导电丝；

在所述发电涂层和所述导电丝上形成第一胶层；

在所述第一胶层上形成封装层，获得所述薄膜芯片。

优选的，所述制备基板，包括：

提供纤维板或背板钢化玻璃板

在所述纤维板或背板钢化玻璃板上形成第二胶层；

在所述第二胶层上形成金属衬底，获得所述基板；

则对所述基板进行轧制，使基板的第一表面呈凹凸形，包括：

对所述金属衬底进行轧制，使金属衬底和第二胶层的第二表面呈凹凸形；其中，所述第二表面为所述第二胶层接触所述金属衬底的一面；

则所述基板的第一表面为基板中金属衬底所在的一面。

优选的，所述发电涂层的材料为：铜铟镓硒。

优选的，当制备所述基板提供的是纤维板时，则所述封装层为纤维耐磨板。

优选的，当所述封装层为前板钢化玻璃时，所述在所述第一胶层上形成封装层的步骤之后，还包括：在所述封装层上形成防反光膜。

本发明的另一方面，提供了一种薄膜芯片，所述薄膜芯片，包括：

依次复合的基板、发电涂层、第一胶层和封装层；

其中，所述基板的第一表面呈凹凸形；

所述发电涂层呈现于第一表面相同的凹凸形，所述第一表面为所述基板接触发电涂层的一面；

在所述发电涂层与所述第一胶层之间，所述发电涂层的凹面沟壑具有导电丝。

优选的，当所述封装层的材料为前板钢化玻璃，则所述薄膜芯片，还包括：

在所述封装层上的防反光膜。

优选的所述凹凸形包括：规则或不规则的波浪形或粗麻网状形。