[发明专利]连接结构及其制作方法、阵列基板及其制作方法有效
| 申请号： | 201810554032.4 | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN108493155B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 张震;廖鹏宇 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开实施例提供一种连接结构及其制作方法、阵列基板及其制作方法，该连接结构的制作方法包括：在衬底基板上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成掩模层；采用第一构图工艺在掩模层中形成第一开口；在掩模层上形成第二绝缘层；采用第二构图工艺在第二绝缘层中形成暴露第一开口的第二开口；以及通过第二开口以掩模层为掩模对第一绝缘层进行刻蚀形成第三开口。该制作方法利用事先形成的掩模层通过一次构图工艺形成第二开口和第三开口从而形成台阶结构，简化了制备工艺，降低了制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 连接 结构 及其 制作方法 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种连接结构的制作方法，包括：在衬底基板上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成掩模层；采用第一构图工艺在所述掩模层中形成第一开口；在所述掩模层上形成第二绝缘层；采用第二构图工艺在所述第二绝缘层中形成暴露所述第一开口的第二开口；以及通过所述第二开口以所述掩模层为掩模对所述第一绝缘层进行刻蚀形成第三开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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