[发明专利]连接结构及其制作方法、阵列基板及其制作方法

说明书

本公开实施例提供一种连接结构及其制作方法、阵列基板及其制作方法，该连接结构的制作方法包括：在衬底基板上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成掩模层；采用第一构图工艺在掩模层中形成第一开口；在掩模层上形成第二绝缘层；采用第二构图工艺在第二绝缘层中形成暴露第一开口的第二开口；以及通过第二开口以掩模层为掩模对第一绝缘层进行刻蚀形成第三开口。该制作方法利用事先形成的掩模层通过一次构图工艺形成第二开口和第三开口从而形成台阶结构，简化了制备工艺，降低了制备成本。

技术领域

本公开实施例涉及一种连接结构及其制作方法、阵列基板及其制作方法。

背景技术

对于便携式电子产品，很多时候需要对电路进行弯折处理。例如，在显示技术领域，为了实现窄边框甚至无边框显示，需要对显示装置的焊盘(Bonding Pad)区进行弯折处理；或者为了实现柔性显示，也需要制作耐弯折的连接结构。耐弯折的连接结构的制作工艺是本领域关注的课题。

发明内容

本公开实施例提供一种连接结构的制作方法，包括：在衬底基板上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成掩模层；采用第一构图工艺在所述掩模层中形成第一开口；在所述掩模层上形成第二绝缘层；采用第二构图工艺在所述第二绝缘层中形成暴露所述第一开口的第二开口、以及通过所述第二开口以所述掩模层为掩模对所述第一绝缘层进行刻蚀形成第三开口。

例如，所述第二开口的尺寸大于所述第一开口的尺寸并且完全暴露所述第一开口。

例如，所述制作方法还包括：形成导电层填充所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口，所述导电层延伸通过所述第二开口。

例如，所述制作方法还包括：在形成所述导电层之前形成应力缓冲层填充所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口，所述导电层形成于所述应力缓冲层上。

例如，所述掩模层材料为多晶硅，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层包括硅元素，所述制作方法包括：在一次干法刻蚀工艺中依次形成所述第二开口和所述第三开口，其中，形成所述第三开口时的气体氛围中氟元素的浓度低于形成所述第二开口时的气体氛围中氟元素的浓度。

例如，所述衬底基板为柔性基板。

本公开实施例还提供一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括显示区、焊盘区和位于所述显示区和所述焊盘区之间的弯折区，所述弯折区形成有连接结构，所述制作方法包括：采用上述制作方法形成所述连接结构，且所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口对应于被弯折部分。

例如，所述阵列基板还包括形成于所述显示区的薄膜晶体管的有源层，所述掩模层与所述有源层通过对同一半导体材料层构图形成。

例如，所述阵列基板还包括形成于所述显示区的薄膜晶体管的源漏电极层和栅极，所述导电层与所述源漏电极层或所述栅极通过对同一导电材料层构图形成。

本公开实施例提供一种连接结构，包括：衬底基板；以及第一绝缘层、掩模层和第二绝缘层，所述第一绝缘层、所述掩模层和所述第二绝缘层依次层叠设置于所述衬底基板上，所述掩模层包括第一开口以及未被所述第二绝缘层覆盖并围绕所述第一开口的第一部分，所述第二绝缘层包括第二开口，所述第一绝缘层包括第三开口，所述第二开口暴露所述第一开口以及所述掩模层的第一部分，所述第一开口暴露第三开口，并且所述第一开口与所述第三开口具有相同的轮廓。

例如，所述连接结构还包括导电层，其中，所述导电层填充所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口，并延伸通过所述第二开口。

例如，所述连接结构还包括设置于所述导电层与所述第二绝缘层之间的应力缓冲层，所述应力缓冲层填充所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口。

例如，所述掩模层还包括被所述第二绝缘层覆盖的第二部分，所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度。