[发明专利]半导体衬底的形成方法在审
| 申请号： | 201810547951.9 | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN108987264A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 渡边整 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张苏娜;张珂珂 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成外延衬底的方法，其中该外延衬底包括在由碳化硅(SiC)制成的衬底上生长的由氮化铝(AlN)制成的成核层。该方法包括以下步骤：(1)首先测量SiC衬底表面的第一反射率R0；(2)生长由AlN制成的成核层，同时测量AlN成核层的生长表面的第二反射率R1；以及(3)当反射率的比值R1/R0进入预设范围时，结束AlN成核层的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 成核层 衬底 反射率 生长 测量 衬底表面 生长表面 氮化铝 碳化硅 预设 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种形成外延衬底的方法，包括以下步骤：通过波长为350nm至720nm的监测用束流测量由碳化硅(SiC)制成的半导体衬底的第一反射率；使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在所述半导体衬底上生长由氮化铝(AlN)制成的成核层，同时在生长所述成核层期间通过所述监测用束流测量所述成核层的第二反射率；以及当由所述第一反射率归一化的所述第二反射率进入预设范围时，结束生长所述成核层的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
