[发明专利]半导体衬底的形成方法在审
| 申请号： | 201810547951.9 | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN108987264A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 渡边整 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张苏娜;张珂珂 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 成核层 衬底 反射率 生长 测量 衬底表面 生长表面 氮化铝 碳化硅 预设 半导体 | ||
1.一种形成外延衬底的方法，包括以下步骤：
通过波长为350nm至720nm的监测用束流测量由碳化硅(SiC)制成的半导体衬底的第一反射率；
使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在所述半导体衬底上生长由氮化铝(AlN)制成的成核层，同时在生长所述成核层期间通过所述监测用束流测量所述成核层的第二反射率；以及
当由所述第一反射率归一化的所述第二反射率进入预设范围时，结束生长所述成核层的步骤。
2.根据权利要求1所述的方法，
其中所述预设范围为0.92至0.935。
3.根据权利要求1所述的方法，
其中所述监测用束流的波长为390nm至420nm。
4.根据权利要求3所述的方法，
其中所述监测用束流由半导体激光二极管形成，该半导体激光二极管具有由氮化镓(GaN)制成的有源层。
5.根据权利要求1所述的方法，
其中测量所述第一反射率的步骤是在与生长所述成核层的温度相等的温度下进行的。
6.根据权利要求5所述的方法，
其中所述成核层在1095℃至1105℃的温度下生长。
7.根据权利要求1所述的方法，
其中生长所述成核层的步骤中的生长厚度为12nm至14nm。
8.根据权利要求1所述的方法，
进一步包括以下步骤：
在所述成核层上生长由氮化镓(GaN)制成的沟道层；以及
在所述沟道层上生长势垒层。
9.根据权利要求8所述的方法，
其中所述势垒层由氮化铝镓(AlGaN)和氮化铟铝(InAlN)中的一种制成。
10.根据权利要求8所述的方法，
进一步包括在所述势垒层上生长由氮化镓(GaN)制成的覆盖层的步骤，
其中所述势垒层和所述覆盖层掺杂有n型掺杂剂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
