[发明专利]一种半导体芯片生产工艺有效
申请号: | 201810532883.9 | 申请日: | 2018-05-29 |
公开(公告)号: | CN108766927B | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 赵喜高;李涵;潘万胜 | 申请(专利权)人: | 深圳市可易亚半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 浙江专橙律师事务所 33313 | 代理人: | 邢万里 |
地址: | 518042 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明属于半导体生产技术领域,具体的说是一种半导体芯片生产工艺,该工艺采用划片机,该划片机包括工作台、吸盘、真空发生器和切割刀,工作台内设有真空发生器;吸盘安装在工作台上;吸盘用于吸附晶圆;吸盘上方设有切割刀;还包括调节装置;调节装置安装在吸盘的吸附孔上,调节装置用于调整吸附孔的吸附面积。本发明通过设置调节装置改变吸附孔的大小,避免吸附孔过小造成吸附力不足,造成切割损坏,影响晶圆的品质;通过在吸附孔一侧设置连通孔,连通孔内滑动安装着疏通块,当吸附孔内抽真空后,外界气压推动疏通块向吸附孔内移动,在晶圆切割完成后,疏通块在弹簧的作用下回复,缓解切割粉屑对吸附孔堵塞。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 芯片 生产工艺 | ||
【主权项】:
1.一种半导体芯片生产工艺,其特征在于,该工艺包括以下步骤:步骤一:在晶圆的背面贴底膜,使晶圆本体和外环均与底膜贴合;步骤二:将步骤一中的晶圆送入划片机内切除外环,从超薄晶圆本体的正面进行切割,以切割出若干个芯片;步骤三:将步骤二中切割形成的芯片从底膜上分离,并移至引线框架上进行封装;步骤四:对步骤三中封装的芯片进行成品测试;其中,所述的划片机包括工作台(1)、吸盘(2)、真空发生器、切割刀(3)和调节装置(4),所述工作台(1)内设有真空发生器;所述吸盘(2)安装在工作台(1)上;所述吸盘(2)用于吸附晶圆;所述吸盘(2)上方设有切割刀(3);所述调节装置(4)安装在吸盘(2)的吸附孔(5)上,所述调节装置(4)用于调整吸附孔(5)的吸附面积;所述调节装置(4)包括滑块(41)、螺母(42)、转动杆(43)、齿轮(44)和转盘(45);一组滑块(41)呈圆环状设置在吸附孔(5)外圈;所述滑块(41)一侧固连着螺母(42);所述螺母(42)旋接在转动杆(43)端头;所述转动杆(43)中部固连着齿轮(44);所述转动杆(43)底部设有与齿轮(44)相啮合的转盘(45);所述转盘(45)转动安装在吸盘(2)内部;所述转盘(45)外圈设有齿槽;所述吸盘(2)内部的转盘(45)依次啮合,其中一个转盘(45)通过电机控制转动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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