[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201810522709.6 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN108987478B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 王泰元 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包含半导体基板、至少一源漏极结构、绝缘层，以及栅极。半导体基板包含基部以及位于基部上的至少一鳍。源漏极结构位于鳍的至少一侧壁上。绝缘层位于基部与源漏极结构之间以隔离基部与源漏极结构。栅极位于鳍上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：一半导体基板，包含：一基部；以及至少一鳍，配置于该基部上；至少一源漏极结构，位于该鳍的至少一侧壁上；一绝缘层，位于该基部与该源漏极结构之间以隔离该基部与该源漏极结构；以及一栅极，位于该鳍上。
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