[发明专利]半导体装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201810509842.8 | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110534525B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 张峰溢;童宇诚;李甫哲;林盈志 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11565 | 分类号： | H01L27/11565;H01L27/11568 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置及其形成方法，该半导体装置包含基底与材料层。基底具有第一区域，材料层则是设置在基底上。材料层包含呈阵列排列的多个第一图案、多个第二图案与两个第三图案，其中，第一图案设置在第一区域，第二图案设置在第一区域的两相对外侧，而第三图案设置在第一区域的另两相对外侧且部分合并于部分的各个第一图案与部分的各个第二图案。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：/n基底，具有第一区域；/n材料层，设置在该基底上，该材料层包含呈阵列排列的多个第一图案与多个第二图案，与两个第三图案，其中，该第一图案设置在该第一区域内，该第二图案设置在该第一区域的两相对外侧，且各该第三图案设置在该第一区域的另两相对外侧且部分合并于一部分的各该第一图案与一部分的各该第二图案。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
