[发明专利]一种常闭型氮化镓HEMT器件在审
| 申请号： | 201810498743.4 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108493245A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 李亦衡;张葶葶;朱廷刚;夏远洋 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供一种常闭型氮化镓HEMT器件，包括异质结构和与所述异质结构连接的源极、漏极和栅极，所述异质结构包括：作为沟道层的第一半导体层；所述第一半导体层上形成有作为势垒层的第二半导体层；所述第二半导体层和所述栅极之间形成有p型半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层之间形成有二维电子气，所述二维电子气在所述p型半导体层正下方消失；所述异质结构上表面沉积有作为钝化层的介电层，其中，所述二维电子气常存在的区域的正上方的介电层中注入有预选定的金属离子。利用本申请中各个实施例，可以有效提高常闭型HEMT器件的二维电子气密度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 二维电子气 异质结构 常闭型 氮化镓HEMT器件 介电层 金属离子 钝化层 沟道层 上表面 势垒层 漏极 源极 沉积 申请 | ||
【主权项】：
1.一种常闭型氮化镓HEMT器件，包括异质结构和与所述异质结构连接的源极、漏极和栅极，其特征在于，所述异质结构包括：作为沟道层的第一半导体层；所述第一半导体层上形成有作为势垒层的第二半导体层；所述第二半导体层和所述栅极之间形成有p型半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层之间形成有二维电子气，所述二维电子气在所述p型半导体层正下方消失；所述异质结构上表面沉积有作为钝化层的介电层，其中，所述二维电子气常存在的区域的正上方的介电层中注入有预选定的金属离子。
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