[发明专利]基板处理装置和基板处理方法在审
| 申请号： | 201810476146.1 | 申请日： | 2018-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN108962743A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 方炳善;郑富荣;崔重奉;金奉主;李映一;宋吉勋;朴贵秀;金光烈;李广燮;柳镇泽 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 韩国忠淸南道天安*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种基板处理装置和基板处理方法。基板处理方法包括通过向基板照射激光来去除一部分薄膜，并且在去除一部分薄膜之后，通过向基板供应化学品来去除剩余部分的薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 基板处理 去除 薄膜 基板处理装置 基板供应 化学品 基板 照射 激光 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理方法，其特征在于，包括：通过向基板照射激光去除一部分薄膜；和在去除所述一部分薄膜后，通过向所述基板供应化学品来去除剩余部分的薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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