[发明专利]一种用于功率器件封装的全Cu3Sn化合物接头的制备方法在审
| 申请号： | 201810471900.2 | 申请日： | 2018-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN108615689A | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 殷祚炷;郭孟娇;孙凤莲 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603;H01L23/488 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种快速制备用于功率器件封装的全Cu3Sn化合物接头的方法，本发明属于电子封装技术领域，它要解决现有用于功率器件封装的全Cu3Sn化合物接头的加工工艺复杂、连接时间长、施加压力大的问题。制备方法：一、将Sn箔和Cu箔放入无水乙醇中进行超声清洗，取出后晾干，得到清洗后的Sn箔和Cu箔；二、在清洗后的Sn箔的两面涂抹助焊膏，然后将Cu箔放置在Sn箔表面，形成Cu/Sn/Cu三明治结构箔片；三、将Cu/Sn/Cu三明治结构箔片置于热压焊机工作台上，控制加热温度为250℃～400℃，钎焊时间为1s～9.9s，进行连接，连接过程中持续施加0.05MPa～0.7MPa焊接压力，焊接结束后空冷至210℃以下，即完成所述的用于功率器件封装的全Cu3Sn化合物接头的制备。本发明能够实现小压力、耐高温的封装连接，连接时间短。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 功率器件 制备 三明治结构 箔片 清洗 电子封装技术 超声清洗 焊接压力 快速制备 连接过程 施加压力 无水乙醇 焊机 晾干 耐高温 小压力 助焊膏 放入 空冷 钎焊 热压 加热 涂抹 焊接 取出 施加 | ||
【主权项】：
1.一种用于功率器件封装的全Cu3Sn化合物接头的制备方法，其特征在于该方法是通过下列步骤实现：一、将Sn箔和Cu箔放入无水乙醇中进行超声清洗，取出后晾干，得到清洗后的Sn箔和Cu箔；二、在清洗后的Sn箔的两面涂抹助焊膏，然后将Cu箔放置在Sn箔表面，形成Cu/Sn/Cu三明治结构箔片；三、将Cu/Sn/Cu三明治结构箔片置于热压焊机工作台上，控制加热温度为250℃～400℃，钎焊时间为1s～9.9s，进行连接，连接过程中持续施加0.05MPa～0.7MPa焊接压力，焊接结束后空冷至210℃以下，即完成所述的用于功率器件封装的全Cu3Sn化合物接头的制备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨理工大学，未经哈尔滨理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810471900.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
