[发明专利]半导体结构及形成方法、静态随机存取存储器及形成方法

摘要

一种半导体结构及形成方法、以及静态随机存取存储器及形成方法，其中半导体结构的形成方法包括：提供基底，基底包括相邻的器件区，器件区基底表面具有第一鳍部；在基底表面形成隔离结构，隔离结构顶部低于第一鳍部顶部，且覆盖第一鳍部部分侧壁，隔离结构包括第一区和第二区，第一区和第二区分别与各第一鳍部相对两侧侧壁接触，第一区位于相邻第一鳍部之间，第一区隔离结构顶部高于第二区隔离结构顶部；以隔离结构为掩膜，在第一鳍部内形成第一掺杂层，部分第一掺杂层位于第二区；在第一掺杂层和基底表面、以及第一鳍部侧壁形成介质层，介质层内具有第一接触孔，第一接触孔底部暴露出第一掺杂层顶部和第二区第一掺杂层侧壁。所形成器件性能较好。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底包括相邻的器件区，所述器件区基底表面具有第一鳍部，且相邻器件区第一鳍部相邻；/n在所述基底表面形成由一器件区延伸至相邻器件区的隔离结构，所述隔离结构顶部低于第一鳍部顶部，且覆盖第一鳍部的部分侧壁，所述隔离结构包括第一区和第二区，所述第一区和第二区分别与各第一鳍部相对两侧侧壁相接触，所述第一区位于相邻第一鳍部之间，且所述第一区隔离结构顶部高于第二区隔离结构顶部；/n以所述隔离结构为掩膜，在所述第一鳍部内形成第一掺杂层，部分第一掺杂层位于第二区；/n在所述第一掺杂层和基底表面、以及第一鳍部的侧壁形成介质层，所述介质层内具有第一接触孔，所述第一接触孔底部暴露出第一掺杂层顶部和第二区第一掺杂层的侧壁。/n