[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201810447748.4 | 申请日： | 2018-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN108649034B | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 崔梦豪;隋翔宇;张高升;张慧;赵治国;陆智勇;王香凝;周同;赵新梅;王攀 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11551 | 分类号： | H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：提供衬底，所述衬底具有背对的正面和背面，所述衬底的正面上形成有堆叠结构及至少覆盖所述堆叠结构侧面的介质层，所述堆叠结构包括沿垂直于所述衬底的方向交错堆叠的若干层绝缘层和若干层牺牲层；至少在所述衬底的背面上形成第一应力层。所述第一应力层能够抵消衬底翘曲的应力，从而减少衬底翘曲的曲率，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体结构 堆叠结构 衬底翘曲 应力层 背面 绝缘层 曲率 产品良率 交错堆叠 介质层 牺牲层 背对 抵消 垂直 侧面 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有背对的正面和背面，所述衬底的正面上形成有堆叠结构及至少覆盖所述堆叠结构侧面的介质层，所述堆叠结构包括沿垂直于所述衬底的方向交错堆叠的若干层绝缘层和若干层牺牲层；至少在所述衬底的背面上形成第一应力层，所述第一应力层用于抵消在后续对堆叠结构进行的半导体工艺流程以形成存储器的过程中产生的使衬底发生翘曲的应力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
