[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底具有背对的正面和背面，所述衬底的正面上形成有堆叠结构及至少覆盖所述堆叠结构侧面的介质层，所述堆叠结构包括沿垂直于所述衬底的方向交错堆叠的若干层绝缘层和若干层牺牲层；

至少在所述衬底的背面上形成第一应力层，所述第一应力层用于抵消在后续对堆叠结构进行的半导体工艺流程以形成存储器的过程中产生的使衬底发生翘曲的应力。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述介质层和堆叠结构上形成掩膜层；

所述掩膜层包括第二应力层，所述第二应力层与第一应力层材料相同；

所述第二应力层与所述第一应力层同步形成。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一应力层和第二应力层的材料为氮化硅。

4.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用炉管沉积工艺同时形成所述第二应力层和第一应力层。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一应力层的应力范围为1.2GPa～1.5GPa。

6.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层还包括：在所述介质层和堆叠结构的上方层叠的第一子掩膜层和第二子掩膜层，所述第二应力层位于所述第一子掩膜层和第二子掩膜层之间。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成所述第一子掩膜层和第二子掩膜层。

8.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：刻蚀所述掩膜层，形成图形化掩膜层；以所述图形化掩膜层为掩膜，在所述堆叠结构内形成沟道孔；在所述沟道孔内和所述第一应力层表面形成沟道孔材料层；去除所述第二子掩膜层和第二应力层。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述第二应力层。

10.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对堆叠结构进行的半导体工艺流程以形成存储器的过程包括：在所述堆叠结构内形成栅线隔槽，沿所述栅线隔槽去除所述牺牲层，在所述绝缘层之间形成开口；在所述开口内填充栅极材料，形成控制栅极。

11.根据权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述控制栅极之后，所述衬底的曲率半径范围为80m～100m。

12.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底具有背对的正面和背面，所述衬底的正面上形成有栅极堆叠结构及至少覆盖所述栅极堆叠结构侧面的介质层，所述栅极堆叠结构包括沿垂直于所述衬底的方向交错堆叠的若干层绝缘层和若干层控制栅极，所述控制栅极通过去除绝缘层之间的牺牲层，在绝缘层之间形成开口，在所述开口内填充栅极材料而形成；

至少位于所述衬底的背面上的第一应力层；

所述栅极堆叠结构内形成有沟道孔结构，所述沟道孔结构形成于所述牺牲层被去除之前，所述第一应力层在所述牺牲层和绝缘层之后并且在所述沟道孔结构之前形成；

所述半导体结构为存储器。

13.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述第一应力层的材料为氮化硅。

14.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述第一应力层的应力范围为1.2GPa～1.5GPa。

15.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构为3DNAND。