[发明专利]一种基于复合空穴传输层的钙钛矿发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201810431538.6 | 申请日： | 2018-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN108649144B | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 于军胜;吴梦鸽;王子君;杨根杰 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 徐金琼 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于复合空穴传输层的钙钛矿发光二极管及其制备方法，涉及电致发光器件技术领域，所述制备方法包括以下步骤，步骤1：对衬底清洗后进行干燥处理；步骤2：在干燥处理后的衬底上旋涂掺杂有小分子TADF材料的聚合物材料混合溶液，然后进行退火处理得到基片；步骤3：将基片放入手套箱中，在基片上旋涂钙钛矿溶液，然后进行退火处理；步骤4：将退火处理后的基片传入真空蒸发室依次按照二级管器件结构蒸镀电子传输层和阴极；步骤5：将蒸镀后的器件在手套箱中进行封装。解决传统空穴传输材料对阳极和钙钛矿发光层的腐蚀问题，以及钙钛矿材料在疏水的空穴传输材料上成膜差的问题，提高了二极管发光器件的电流效率和外量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 退火处理 制备 复合空穴传输层 空穴传输材料 发光二极管 干燥处理 手套箱 上旋 蒸镀 阴极 电致发光器件 电子传输层 钙钛矿材料 聚合物材料 外量子效率 真空蒸发室 二极管 阳极 衬底清洗 电流效率 发光器件 混合溶液 器件结构 二级管 发光层 小分子 衬底 放入 疏水 封装 掺杂 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种基于复合空穴传输层的钙钛矿发光二极管制备方法，其特征在于,包括以下步骤：步骤1：对衬底清洗后进行干燥处理；步骤2：在干燥处理后的衬底上旋涂掺杂有小分子TADF材料的聚合物材料混合溶液，然后进行退火处理得到基片，所述聚合物材料选用poly‑TPD，所述TADF材料选用DMAC‑DPS；步骤3：将基片放入手套箱中，在基片上旋涂钙钛矿溶液，然后进行退火处理；步骤4：将退火处理后的基片传入真空蒸发室依次按照二级管器件结构蒸镀电子传输层和阴极；步骤5：将蒸镀后的器件在手套箱中进行封装。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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