[发明专利]一种双镜面结构的LED外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201810415779.1 | 申请日： | 2018-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN108807631A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 杨为家;何鑫;徐维;王诺媛;刘铭全;刘艳怡;蒋庭辉;江嘉怡;刘均炎 | 申请（专利权）人： | 五邑大学 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 梁嘉琦 |
| 地址： | 529000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双镜面结构的LED外延片的制备方法，(1)在MOCVD生长室中放入图形化蓝宝石衬底；(2)在450‑550℃下，通入三甲基铝、三甲基镓、氨气，在图形化蓝宝石衬底上生长出AlGaN缓冲层；(3)再在300‑450℃下，以150‑600sccm的流量通入铝源和/或铟源，在所述AlGaN缓冲层上获得铝和/或铟金属薄膜；(4)在真空条件下，快速升温至750‑1200℃，然后退火1‑10min，获得Al和/或In的金属纳米粒子；(5)然后，在900‑1200℃下，生长非故意掺杂GaN层；(6)接着按照标准的工艺依次生长n型GaN、InGaN/GaN量子阱和p型GaN。本发明的制备方法简化了工序，在生产成本基本不变的条件下，明显提高了LED外延片的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 图形化蓝宝石 缓冲层 双镜面 衬底 生长 氨气 退火 金属纳米粒子 出光效率 金属薄膜 快速升温 三甲基铝 三甲基镓 真空条件 量子阱 铝源 铟源 生产成本 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种双镜面结构的LED外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在MOCVD生长室中放入图形化蓝宝石衬底；(2)在450‑550℃下，通入三甲基铝、三甲基镓、氨气，在图形化蓝宝石衬底上生长出AlGaN缓冲层；(3)再在300‑450℃下，以150‑600sccm的流量通入铝源和/或铟源，在所述AlGaN缓冲层上获得铝和/或铟金属薄膜；(4)在真空条件下，快速升温至750‑1200℃，退火1‑10min，获得Al和/或In的金属纳米粒子，所述金属纳米粒子的直径为2‑20nm；(5)在900‑1200℃下，生长非故意掺杂GaN层；(6)接着依次生长2‑3μm的n型GaN、120‑180nm的InGaN/GaN量子阱和150‑500nm的p型GaN。
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