[发明专利]一种双镜面结构的LED外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201810415779.1 | 申请日： | 2018-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN108807631A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 杨为家;何鑫;徐维;王诺媛;刘铭全;刘艳怡;蒋庭辉;江嘉怡;刘均炎 | 申请（专利权）人： | 五邑大学 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 梁嘉琦 |
| 地址： | 529000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 图形化蓝宝石 缓冲层 双镜面 衬底 生长 氨气 退火 金属纳米粒子 出光效率 金属薄膜 快速升温 三甲基铝 三甲基镓 真空条件 量子阱 铝源 铟源 生产成本 掺杂 | ||
1.一种双镜面结构的LED外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在MOCVD生长室中放入图形化蓝宝石衬底；
(2)在450-550℃下，通入三甲基铝、三甲基镓、氨气，在图形化蓝宝石衬底上生长出AlGaN缓冲层；
(3)再在300-450℃下，以150-600sccm的流量通入铝源和/或铟源，在所述AlGaN缓冲层上获得铝和/或铟金属薄膜；
(4)在真空条件下，快速升温至750-1200℃，退火1-10min，获得Al和/或In的金属纳米粒子，所述金属纳米粒子的直径为2-20nm；
(5)在900-1200℃下，生长非故意掺杂GaN层；
(6)接着依次生长2-3μm的n型GaN、120-180nm的InGaN/GaN量子阱和150-500nm的p型GaN。
2.根据权利要求1所述的双镜面结构的LED外延片的制备方法，其特征在于，步骤(2)中通入三甲基铝的流量控制为150-600sccm；通入三甲基镓的流量控制为300-1200sccm；通入氨气的流量控制为300-1200sccm。
3.根据权利要求1所述的双镜面结构的LED外延片的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述AlGaN缓冲层的厚度为500-1000nm。
4.根据权利要求1所述的双镜面结构的LED外延片的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述铝源为三甲基铝；所述铟源为三甲基铟。
5.根据权利要求1所述的双镜面结构的LED外延片的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述金属薄膜的厚度为8-30nm。
6.根据权利要求1所述的双镜面结构的LED外延片的制备方法，其特征在于，步骤(4)中所述真空条件的真空度至少为1×10-3Pa。
7.根据权利要求1所述的双镜面结构的LED外延片的制备方法，其特征在于，步骤(5)中所述非故意掺杂GaN层的厚度为500-1500nm。
8.根据权利要求1所述的双镜面结构的LED外延片的制备方法，其特征在于，步骤(6)中所述InGaN/GaN量子阱为8-12个周期的InGaN/GaN量子阱。
9.一种根据权利要求1-8中任一项所述的双镜面结构的LED外延片的制备方法制备得到的双镜面结构的LED外延片。
10.一种根据权利要求1-8中任一项所述的双镜面结构的LED外延片的制备方法制备得到的双镜面结构的LED外延片的应用，其特征在于，用于制备LED器件、太阳能电池或光电探测器。
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