[发明专利]半导体异质结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201810392064.9 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108807499B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 刘嘉哲;黄彦纶;林嫚萱 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/207;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种异质结构包括衬底；设置在所述衬底上的中间层；以及III‑V族层，所述III‑V族层具有设置在所述中间层上的第一主表面和掺杂剂浓度，其中在沿着从第一主表面贯穿整个所述层的厚度而终止于第二主表面之前的生长方向上，所述掺杂剂浓度以包括多个缓变的方式变化，所述多个缓变有掺杂剂浓度升高和掺杂剂浓度降低的至少一个。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种异质结构，包括：衬底；设置在所述衬底上的中间层；和III‑V族层，所述III‑V族层具有设置在所述中间层上的第一主表面和掺杂剂浓度，其中在沿着从第一主表面贯穿整个所述层的厚度而终止于第二主表面之前的生长方向上，所述掺杂剂浓度以包括多个缓变的方式变化，所述多个缓变有掺杂剂浓度升高和掺杂剂浓度降低的至少一个。
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