[发明专利]一种三维多级结构纳米碳化硅、制备方法以及其应用在审

专利信息
申请号: 201810389073.2 申请日: 2018-04-27
公开(公告)号: CN108285145A 公开(公告)日: 2018-07-17
发明(设计)人: 王兵;王应德;孙炼;韩成 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科技大学
主分类号: C01B32/984 分类号: C01B32/984;C01B32/97;B82Y30/00;B01J27/224
代理公司: 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 代理人: 朱桂花
地址: 410073 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明提供一种三维多级结构纳米碳化硅的制备方法,包括以下步骤:(1)合成碳源水溶液:将碳源超声粉碎于去离子水中,得碳源水溶液;(2)水热反应并冷冻干燥制得还原碳源气凝胶;(3)碳热还原反应:将碳源气凝胶与过量硅/二氧化硅混合粉末进行碳热还原反应,初步制得三维纳米碳化硅;(4)清洗:将碳热还原后的三维碳化硅使用氢氟酸、浓硝酸混合酸浸泡,并用去离子水清洗,得到最终的三维纳米碳化硅多级结构。所制得的三维纳米碳化硅多级结构由碳化硅纳米片、纳米线组成,表现出较好的结晶性与较高的强度,且制备方法简单,在制备光电催化剂及其载体、气体传感、储氢、超级电容器和电池电极材料等领域有着广泛的应用前景。
搜索关键词: 纳米碳化硅 三维 多级结构 制备 碳热还原反应 凝胶 清洗 电池电极材料 超级电容器 光电催化剂 混合酸浸泡 碳化硅纳米 碳源水溶液 超声粉碎 二氧化硅 合成碳源 混合粉末 气体传感 去离子水 水热反应 碳热还原 过量硅 还原碳 结晶性 纳米线 浓硝酸 氢氟酸 碳化硅 碳源气 储氢 水中 源气 离子 应用 并用 表现
【主权项】:
1.一种三维多级结构纳米碳化硅的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:a)配制碳源水溶液:将碳源超声粉碎于去离子水中,得碳源水溶液;b)制备碳源气凝胶:使步骤a)所得的碳源水溶液与抗坏血酸混合,进行水热反应,然后冷冻干燥,制得碳源气凝胶;c)碳热还原反应:将步骤b)所得的碳源气凝胶与过量的硅粉末或硅与二氧化硅的混合粉末进行碳热还原反应,初步制得三维纳米碳化硅;d)清洗:将步骤c)所得的三维纳米碳化硅使用混合酸浸泡,并用去离子水清洗,得到最终的三维多级结构纳米碳化硅。
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