[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201810319527.9 | 申请日： | 2018-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN109037221A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 田昌勋;金容锡;林浚熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11526 | 分类号： | H01L27/11526;H01L27/11573 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：存储单元区域，包括沿着沟道孔布置的存储单元，沟道孔提供在基板上以在垂直于基板的上表面的方向上延伸；以及外围电路区域，设置在存储单元区域的外面并包括低电压晶体管和高电压晶体管。低电压晶体管包括第一晶体管，该第一晶体管包括第一栅电介质层和包含金属的第一栅电极层，高电压晶体管包括第二晶体管，该第二晶体管包括具有比第一栅电介质层的介电常数低的介电常数的第二栅电介质层和包含多晶硅的第二栅电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 栅电介质层 存储单元区域 低电压晶体管 高电压晶体管 半导体器件 介电常数 栅电极层 沟道 基板 外围电路区域 存储单元 多晶硅 上表面 垂直 金属 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：存储单元区域，包括沿着沟道孔布置的存储单元，所述沟道孔提供在基板上以在垂直于所述基板的上表面的方向上延伸；以及外围电路区域，设置在所述存储单元区域的外面，并包括低电压晶体管和高电压晶体管，其中所述低电压晶体管包括第一晶体管，所述第一晶体管包括第一栅电介质层和包含金属的第一栅电极层，所述高电压晶体管包括第二晶体管，所述第二晶体管包括具有比所述第一栅电介质层的介电常数低的介电常数的第二栅电介质层和包含多晶硅的第二栅电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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