[发明专利]金属氧化物膜的制造方法和晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201810318759.2 | 申请日： | 2014-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN108565207A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 中积诚;西康孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28;H01L21/311;H01L21/336;H01L29/49;H01L29/51;C01F7/02;C23C18/12 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;褚瑶杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明目的在于提供一种有效得到密合性良好的金属氧化物膜的技术。本发明中的金属氧化物膜的制造方法特征在于，其具备：将含有有机金属络合物的溶液涂布于基板上的涂布工序；将得到的涂膜暴露于臭氧的臭氧暴露工序；对所述涂膜进行加热的加热工序。本发明的晶体管的制造方法包含通过上述金属氧化物膜的制造方法形成绝缘膜的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 金属氧化物膜 制造 晶体管 涂膜 臭氧 有机金属络合物 加热工序 溶液涂布 涂布工序 绝缘膜 密合性 暴露 基板 加热 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物膜的制造方法，其中，其具备：将含有有机金属络合物的溶液涂布于基板的涂布工序；隔着具有所需开口图案的掩模，将得到的涂膜暴露于臭氧的臭氧暴露工序；所述臭氧暴露工序后，使所述涂膜接触有机溶剂，将所述涂膜中未暴露于所述臭氧的部分溶解的清洗工序；和所述清洗工序后，对所述涂膜进行加热的加热工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
