[发明专利]金属氧化物膜的制造方法和晶体管的制造方法

说明书

本发明目的在于提供一种有效得到密合性良好的金属氧化物膜的技术。本发明中的金属氧化物膜的制造方法特征在于，其具备：将含有有机金属络合物的溶液涂布于基板上的涂布工序；将得到的涂膜暴露于臭氧的臭氧暴露工序；对所述涂膜进行加热的加热工序。本发明的晶体管的制造方法包含通过上述金属氧化物膜的制造方法形成绝缘膜的工序。

本申请是分案申请，其针对的申请的中国国家申请号为201480042219.6、国际申请号为PCT/JP2014/066130，申请日为2014年6月18日，进入中国的日期为2016年1月26日，发明名称为“金属氧化物膜的制造方法和晶体管的制造方法”。

技术领域

本发明涉及金属氧化物膜的制造方法和晶体管的制造方法。本发明要求2013年8月7日申请的日本专利申请号2013-164248的优先权，对于认可基于文献参照的编入的指定国，通过参照将该申请所述的内容编入本申请中。

背景技术

氧化铝、氧化硅等金属氧化物被用于半导体装置、光学薄膜等用途。期望将金属氧化物以所需膜厚形成于所需位置，若能够更简便地进行薄膜的形成，则关系到低成本高产量。

专利文献1中公开了一种成膜方法，其具有：在基板的成膜面上，形成对于成膜材料的粒子示出高亲和性的高亲和性区域和与所述亲和性区域相比示出低亲和性的低亲和性区域的工序；在与所述基板之间，使用具备电子捕捉部的溅射装置，使所述成膜材料的粒子飞向所述成膜面，使所述成膜材料选择性地堆积在所述高亲和性区域的工序。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2010-199402号公报

发明内容

发明要解决的课题

在专利文献1所述的成膜方法中，使用溅射装置，将成膜材料选择性地堆积在基板上。如此以使用溅射法、蒸镀法的干式法进行金属氧化物的成膜的技术是已知的。但是，干式法主要使用真空装置进行，因此与以湿式法进行的情况相比，存在成本升高、产量降低的趋势。

此外，通过对基板照射紫外线，选择性地进行金属氧化物的成膜的技术已经普及，但对基板的密合性很难说是良好的。

本发明是鉴于这种情况而完成的，目的在于提供一种有效得到密合性良好的金属氧化物膜的技术。

解决课题的手段

本发明方式是为了实现上述目的而完成的，本发明的金属氧化物膜的制造方法具备：将含有有机金属络合物的溶液涂布于基板的涂布工序；将得到的涂膜暴露于臭氧的臭氧暴露工序；对所述涂膜进行加热的加热工序。

此外，本发明方式的金属氧化物膜的制造方法特征还在于，所述加热工序中的加热温度为180度以下。

此外，本发明方式的金属氧化物膜的制造方法特征还在于，在所述臭氧暴露工序之后，进一步具备用有机溶剂对所述基板进行清洗的清洗工序，在所述臭氧暴露工序中，将所述涂膜选择性地暴露于臭氧。

此外，特征还在于所述有机金属络合物为1分子中的总碳原子数为4～30的金属络合物的至少一种。

此外，特征还在于所述有机金属络合物为乙酰丙酮金属络合物，所述含有有机金属络合物的溶液的溶剂包含醇类、酮类、醚类、卤代烃类、环状烃类的至少1种。

此外，特征还在于所述金属氧化物膜至少含有Al、O、C、H四种元素，所述四种元素之间的C与H的组成比的总量为70％以上。

此外，特征还在于在所述清洗工序中所用的所述有机溶剂包含醇类、酮类、醚类、卤代烃类、环状烃类的至少一种。