[发明专利]金属氧化物膜的制造方法和晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201810318759.2 | 申请日： | 2014-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN108565207A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 中积诚;西康孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28;H01L21/311;H01L21/336;H01L29/49;H01L29/51;C01F7/02;C23C18/12 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;褚瑶杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属氧化物膜 制造 晶体管 涂膜 臭氧 有机金属络合物 加热工序 溶液涂布 涂布工序 绝缘膜 密合性 暴露 基板 加热 | ||
1.一种金属氧化物膜的制造方法，其中，其具备：
将含有有机金属络合物的溶液涂布于基板的涂布工序；
隔着具有所需开口图案的掩模，将得到的涂膜暴露于臭氧的臭氧暴露工序；
所述臭氧暴露工序后，使所述涂膜接触有机溶剂，将所述涂膜中未暴露于所述臭氧的部分溶解的清洗工序；和
所述清洗工序后，对所述涂膜进行加热的加热工序。
2.如权利要求1所述的金属氧化物膜的制造方法，
其中，所述臭氧暴露工序中，所述掩模与所述涂膜接触配置。
3.如权利要求1或2所述的金属氧化物膜的制造方法，
其中，所述掩模是金属掩模。
4.如权利要求1或2所述的金属氧化物膜的制造方法，
其中，所述掩模是光致抗蚀剂。
5.如权利要求1或2所述的金属氧化物膜的制造方法，
其中，所述加热工序中的加热温度为180度以下。
6.如权利要求1或2所述的金属氧化物膜的制造方法，
其中，所述有机金属络合物为1分子中的总碳原子数为4～30的金属络合物的至少一种。
7.如权利要求1或2所述的金属氧化物膜的制造方法，
其中，所述有机金属络合物为乙酰丙酮金属络合物，
所述含有有机金属络合物的溶液的溶剂包含醇类、酮类、醚类、卤代烃类、环状烃类的至少1种。
8.如权利要求1或2所述的金属氧化物膜的制造方法，
其中，所述金属氧化物膜至少含有Al、O、C、H四种元素，所述四种元素之间的C与H的组成比的总量为70％以上。
9.如权利要求1或2所述的金属氧化物膜的制造方法，
其中，在所述清洗工序中所用的所述有机溶剂包含醇类、酮类、醚类、卤代烃类、环状烃类的至少一种。
10.一种晶体管的制造方法，其中，所述晶体管具有：
与栅极接触设置的绝缘膜；
与所述绝缘膜接触且与源极以及漏极接触设置的半导体层；
所述制造方法包含通过权利要求1～9中任一项所述的金属氧化物膜的制造方法形成所述绝缘膜的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
