[发明专利]形成半导体结构的方法

摘要

本发明公开一种形成半导体结构的方法，其包含以下步骤。首先，在基底上形成目标层，并在目标层上形成数个轴心体。接着，在目标层上形成材料层，覆盖轴心体。然后，进行蚀刻制作工艺，部分移除各轴心体与覆盖在各轴心体上的材料层，以形成数个掩模。最后，通过掩模，图案化目标层，以形成数个图案。其中，各掩模包含来自于各轴心体的未蚀刻部以及来自于覆盖在各轴心体上的材料层的侧壁部，使得各图案的尺寸大于各轴心体的尺寸。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包含：在一基底上形成一目标层；在该目标层上形成多个轴心体；在该目标层上形成一材料层，覆盖该些轴心体；进行一蚀刻制作工艺，部分移除各该轴心体与覆盖在各该轴心体上的该材料层，以形成多个掩模，其中各该掩模包含来自于各该轴心体的一未蚀刻部以及来自于覆盖在各该轴心体上的该材料层的一侧壁部；以及通过该些掩模，图案化该目标层，以形成多个图案。