[发明专利]形成半导体结构的方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包含：

在一基底上形成一目标层；

在该目标层上形成多个轴心体；

在该目标层上形成一材料层，覆盖该些轴心体；

进行一蚀刻制作工艺，部分移除各该轴心体与覆盖在各该轴心体上的该材料层，以形成多个掩模，其中各该掩模包含来自于各该轴心体的一未蚀刻部以及来自于覆盖在各该轴心体上的该材料层的一侧壁部；以及

通过该些掩模，图案化该目标层，以形成多个图案，

其中各该轴心体的顶部具有第一尺寸，各该轴心体的底部具有第二尺寸，该第二尺寸大于该第一尺寸。

2.依据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，该些图案之间具有多个间隔而彼此分隔，且各该间隔的尺寸小于各该轴心体的尺寸。

3.依据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，该未蚀刻部与该侧壁部直接接触。

4.依据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在该蚀刻制作工艺后，各该轴心体被蚀刻为两个未蚀刻部，且覆盖在各该轴心体上的该材料层被蚀刻为两个侧壁部。

5.依据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，该些间隔包含第一间隔与第二间隔，该第一间隔形成在任两相邻未蚀刻部之间，该第二间隔形成在任两相邻侧壁部之间。

6.依据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，该些图案之间具有多个间隔而彼此分隔，各该间隔的尺寸约等于该第一尺寸。

7.依据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，各该图案的尺寸大于各该轴心体的该第一尺寸。

8.依据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，该蚀刻步骤包含提供氧硫化碳气体进行反应。

9.依据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，该蚀刻步骤包含提供氧气或氮气进行反应。

10.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包含：

在一基底上形成一目标层；

在该目标层上形成多个轴心体；

在该目标层上形成一材料层，覆盖该些轴心体；

进行一蚀刻制作工艺，部分移除各该轴心体与覆盖在各该轴心体上的该材料层，以形成多个掩模；以及

通过该些掩模，图案化该目标层，以形成多个图案，其中各该图案的尺寸大于各该轴心体的尺寸，

其中各该轴心体的顶部具有第一尺寸，各该轴心体的底部具有第二尺寸，该第二尺寸大于该第一尺寸。

11.依据权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在该蚀刻制作工艺后，各该轴心体被蚀刻为两个未蚀刻部，且覆盖在各该轴心体上的该材料层被蚀刻为两个侧壁部。

12.依据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，各该掩模包含相邻且直接接触的未蚀刻部以及侧壁部。

13.依据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，该些图案之间具有多个间隔而彼此分隔，且各该间隔的尺寸小于各该轴心体的尺寸。

14.依据权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，该些间隔包含第一间隔与第二间隔，该第一间隔形成在任两相邻未蚀刻部之间，该第二间隔形成在任两相邻侧壁部之间。

15.依据权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，该蚀刻步骤包含提供氧硫化碳气体进行反应。

16.依据权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，该蚀刻步骤包含提供氧气或氮气进行反应。