[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201810291549.9 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN110323137B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高磊;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底部分表面具有栅极；去除位于所述栅极两侧的部分厚度基底，使所述栅极覆盖的基底顶部高于位于栅极两侧的基底顶部，露出位于栅极底部的基底部分侧壁；去除位于所述栅极两侧的部分厚度基底后，在位于栅极底部的基底部分侧壁上形成阻挡层，且所述阻挡层覆盖栅极两侧基底顶部，所述阻挡层顶部低于栅极覆盖的基底顶部，所述阻挡层材料内掺杂有扩散抑制离子；在所述阻挡层表面形成源漏掺杂层，所述源漏掺杂层覆盖所述阻挡层露出的位于栅极底部的基底侧壁表面。本发明能够抑制源漏掺杂层内的掺杂离子朝沟道发生的扩散，并且可降低源漏掺杂层与沟道间的导通电阻，改善半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底部分表面具有栅极；去除位于所述栅极两侧的部分厚度基底，使所述栅极覆盖的基底顶部高于位于栅极两侧的基底顶部，露出位于栅极底部的基底部分侧壁；去除位于所述栅极两侧的部分厚度基底后，在位于栅极底部的基底部分侧壁上形成阻挡层，且所述阻挡层覆盖栅极两侧基底顶部，所述阻挡层顶部低于栅极覆盖的基底顶部，所述阻挡层材料内掺杂有扩散抑制离子；在所述阻挡层表面形成源漏掺杂层，且所述源漏掺杂层覆盖所述阻挡层露出的位于栅极底部的基底侧壁表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
