[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201810289668.0 | 申请日： | 2018-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN108695378B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 权台纯;李正允;池雅凛;闵庚石;成金重 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开一种半导体装置。半导体装置包含衬底、沟道半导体图案、栅极电极、源区/漏区以及气隙。沟道半导体图案竖直地堆叠在衬底上且彼此间隔开。栅极电极跨过沟道半导体图案。源区/漏区位于栅极电极的相对侧边，源区/漏区连接到沟道半导体图案。气隙位于衬底与源区/漏区的底部表面之间，以使得源区/漏区的底部表面不接触衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：衬底；沟道半导体图案，竖直地堆叠在所述衬底上且彼此间隔开；栅极电极，跨过所述沟道半导体图案；源区/漏区，位于所述栅极电极的相对侧边，所述源区/漏区连接到所述沟道半导体图案；以及气隙，位于所述衬底与所述源区/漏区的底部表面之间，以使得所述源区/漏区的所述底部表面不接触所述衬底。
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