[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

衬底；

沟道半导体图案，竖直地堆叠在所述衬底上且彼此间隔开；

栅极电极，跨过所述沟道半导体图案；

源区/漏区，位于所述栅极电极的相对侧边，所述源区/漏区连接到所述沟道半导体图案；

层间介电层，覆盖所述源区/漏区；以及

气隙，位于所述衬底与所述源区/漏区的底部表面之间，以使得所述源区/漏区的所述底部表面不接触所述衬底，

其中，当从横截面视图来看，所述气隙的顶部表面由所述源区/漏区的所述底部表面定义，且所述气隙的侧表面由所述层间介电层定义。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括生长预防区，设置在所述源区/漏区的所述底部表面下方且定义所述气隙的底部表面。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，其中所述生长预防区是在所述源区/漏区的所述底部表面下方的所述衬底中形成的杂质区域。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，其中所述生长预防区掺杂的杂质包含碳、氧、砷以及氮中的一种或多种。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，其中所述生长预防区是在所述源区/漏区的所述底部表面下方的所述衬底上形成的绝缘层。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，还包括设置在所述栅极电极的侧壁上的内部间隔件，所述内部间隔件中的每一个插置在彼此相邻的所述沟道半导体图案之间或在所述衬底与所述沟道半导体图案中的最下部一个之间,

其中所述生长预防区以及所述内部间隔件包括相同的材料。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，其中所述生长预防区中的至少一个连接到所述衬底与所述沟道半导体图案中的所述最下部一个之间的所述内部间隔件。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中所述衬底在其上部部分上包含鳍形状有源图案，所述鳍形状有源图案包含位于所述栅极电极下方的第一区域以及位于所述栅极电极的所述相对侧边的第二区域，

所述沟道半导体图案设置在所述第一区域上，以及

所述源区/漏区的所述底部表面低于所述沟道半导体图案中的最下部一个的底部表面且高于所述第二区域的顶部表面。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中所述沟道半导体图案穿过所述栅极电极，

所述沟道半导体图案中的每一个具有从所述栅极电极的相对侧壁突出的相对端部。

10.一种半导体装置，其特征在于，包括：

有源图案，从衬底突出；

沟道堆叠，位于所述有源图案上；

栅极结构，覆盖所述沟道堆叠且跨过所述有源图案；

源区/漏区，位于所述栅极结构的相对侧边的所述有源图案上；以及

生长预防区，位于所述源区/漏区与所述源区/漏区下方的所述有源图案之间，

其中所述沟道堆叠包括以竖直方式堆叠且彼此间隔开的沟道半导体图案，以及

其中在所述源区/漏区与所述生长预防区之间设置有气隙，以使得所述源区/漏区不接触所述生长预防区，

其中所述栅极结构的最底部表面低于所述源区/漏区的最底部表面。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，其中

所述有源图案包括位于所述栅极结构下方的第一区域和跨过所述第一区域且彼此间隔开的第二区域，以及

所述生长预防区是形成于所述第二区域中的杂质区域或形成于所述第二区域的顶部表面上的绝缘层。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，其中所述第二区域在其上部部分上凹陷，

凹陷的所述第二区域具有以凹面形式朝所述衬底凹陷的所述顶部表面。