[发明专利]一种半导体器件在审
| 申请号： | 201810283968.8 | 申请日： | 2018-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN110350019A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 张广胜;张志丽 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 汪洋;高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有第一埋层区和第二埋层区；在所述半导体衬底上形成有外延层；在所述外延层中分别形成有阱区、源极区和漏极区，所述阱区和源极区均位于所述第一埋层区上方，所述漏极区区位于所述第二埋层区上方；其中，所述第二埋层区从靠近所述源极区的一端到靠近所述漏极区的一端的方向上，掺杂深度逐渐加深。根据本发明提供的半导体器件，通过使半导体衬底内的埋层区从靠近源极区的一端到靠近漏极区的一端的方向上，掺杂深度逐渐加深，漂移区结深逐渐加大，从而得到优化击穿电压和导通电阻关系的半导体器件，并且更够更好地优化半导体器件的表面电场。 | ||
| 搜索关键词： | 埋层 半导体器件 衬底 半导体 漏极区 源极区 外延层 阱区 掺杂 表面电场 导通电阻 击穿电压 靠近源 漂移区 极区 加深 结深 漏极 优化 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有第一埋层区和第二埋层区；在所述半导体衬底上形成有外延层；在所述外延层中分别形成有阱区、源极区和漏极区，所述阱区和源极区均位于所述第一埋层区上方，所述漏极区位于所述第二埋层区上方；其中，所述第二埋层区从靠近所述源极区的一端到靠近所述漏极区的一端的方向上，掺杂深度逐渐加深。
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