[发明专利]一种含有多级有机半导体异质结的有机发光二极管有效
| 申请号： | 201810283683.4 | 申请日： | 2018-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN108666432B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 马东阁;代岩峰;郭庆勋;孙倩;陈江山 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于有机发光二极管领域，公开了一种含有多级有机半导体异质结的有机发光二极管。所述多级有机半导体异质结的有机发光二极管中空穴传输层、电子传输层和电荷产生层中的至少一种由多级有机半导体异质结构成；所述多级有机半导体异质结是由p型半导体材料层和n型半导体材料层交替组成，其中，p型半导体材料层和n型半导体材料层的层数均大于等于2。本发明采用多级有机半导体异质结结构，具有高效的空穴传输、电子传输以及电荷产生的特性。其高效的空穴和电子传输特性，使之完全可以取代传统p掺杂的空穴传输方式以及n掺杂的电子传输方式。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含有 多级 有机半导体 异质结 有机 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种含有多级有机半导体异质结的有机发光二极管，其特征在于：所述多级有机半导体异质结的有机发光二极管中空穴传输层、电子传输层和电荷产生层中的至少一种由多级有机半导体异质结构成；所述多级有机半导体异质结是由p型半导体材料层和n型半导体材料层交替组成，其中，p型半导体材料层和n型半导体材料层的层数均大于等于2。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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