[发明专利]一种电控GaAs/AlGaAs半导体量子点势阱的方法有效
| 申请号： | 201810265693.5 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108428627B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 曹刚;陈明博;王保传;李海欧;郭光灿;郭国平 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L29/205 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;郑哲 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种电控GaAs/AlGaAs半导体量子点势阱的方法，包括：通过控制电极电压，将GaAs/AlGaAs异质结中的二维电子气形成量子点区域；针对量子点对称性和势阱形状的需求，在量子点区域上方，将电控势阱金属电极制备为与量子点区域大小相当的不同形状；使用半导体加工中的图形转移方法，将电控势阱金属电极制备到GaAs/AlGaAs异质结栅极电控量子点样品上；对于制备好的GaAs/AlGaAs异质结栅极电控量子点样品；如果为n型掺杂的半导体量子点样品，则在电控势阱金属电极上施加正电压来吸附电子；如果为p型掺杂的半导体量子点样品，则在金属电极上施加负电压来吸附空穴，从而产生不同种类的量子点。该方法通过顶栅电极的设计，加工制备的电控量子点势阱门电极具有良好的可操控性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas algaas 半导体 量子 势阱 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电控GaAs/AlGaAs半导体量子点势阱的方法，其特征在于，包括：通过控制电极电压，将GaAs/AlGaAs异质结中的二维电子气形成量子点区域；针对量子点对称性和势阱形状的需求，在量子点区域上方，将电控势阱金属电极制备为与量子点区域大小在同一数量级的不同形状；使用半导体加工中的图形转移方法，将电控势阱金属电极制备到GaAs/AlGaAs异质结栅极电控量子点样品上；对于制备好的GaAs/AlGaAs异质结栅极电控量子点样品；如果为n型掺杂的半导体量子点样品，则在电控势阱金属电极上施加正电压来吸附电子；如果为p型掺杂的半导体量子点样品，则在金属电极上施加负电压来吸附空穴，从而产生不同种类的量子点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学技术大学，未经中国科学技术大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810265693.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
