[发明专利]一种非对称线性峰值掺杂的黑磷场效应管

摘要

本发明公开了一种非对称线性峰值掺杂的黑磷场效应管，包括非对称线性峰值掺杂的导电沟道、未掺杂的本征导电沟道、源区、漏区、栅极氧化层、源极、漏极、栅极；所述的线性峰值掺杂的导电沟道、未掺杂的本征导电沟道、源区、漏区均采用黑磷材料制作，在线性峰值掺杂的导电沟道、未掺杂的本征导电沟道、源区、漏区外，生成一层栅极氧化层，在栅极氧化层外再沉淀一层金属电极，作为非对称线性峰值掺杂的黑磷场效应管的栅极。本发明源/漏区和沟道之间的带间隧穿显著减少，作为隧穿效应减小的结果，得到了更低的漏电流和更高的开关电流比，并且在固定的开/关电流比率下，非对称线性峰值掺杂结构比起传统结构具有较低的延迟和PDP。

主权项

1.一种非对称线性峰值掺杂的黑磷场效应管，其特征在于，包括：非对称线性峰值掺杂的导电沟道（2）、未掺杂的本征导电沟道（3）、源区（1）、漏区（4）、栅极氧化层（5）、源极（6）、漏极（7）、栅极（8）；非对称线性峰值掺杂的导电沟道（2）、未掺杂的本征导电沟道（3）、源区（1）、漏区（4）采用一根本征半导体黑磷制作而成；对本征半导体黑磷的两端采用分子或金属离子进行第一杂质重掺杂后，分别作为源区（2）和漏区（3），本征半导体黑磷的中间部分分为两部分，靠近源极（6）的部分作为非对称线性峰值掺杂的导电沟道（2），靠近漏极（7）的部分作为未掺杂的本征导电沟道（3），非对称线性峰值掺杂导电沟道（2）通过第二杂质掺杂逐渐掺杂，掺杂浓度从源极（6）侧向黑磷中间线性减小；在非对称线性峰值掺杂的导电沟道（2）、未掺杂的本征导电沟道（3）、源区（1）、漏区（4）外生成一层栅极氧化层（5），在栅极氧化层（5）外再沉淀一层金属电极，作为栅极（8）；在位于源区（2）和漏区（3）之上的栅极氧化层（5）上分别刻蚀一源极引线孔和漏极引线孔，在该源极引线孔内制备所述的源极（6），在漏极引线孔内制备所述的漏极（7）。