[发明专利]平板探测器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810259475.0 申请日: 2018-03-27
公开(公告)号: CN108470739B 公开(公告)日: 2021-01-22
发明(设计)人: 王凤涛;张家祥;王亮;潘宗玮 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L27/144 分类号: H01L27/144;H01L21/84
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 赵天月
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了平板探测器及其制备方法。其中,平板探测器包括:衬底;薄膜晶体管,所述薄膜晶体管设置在所述衬底的第一表面上;第一电极,所述第一电极设置在所述第一表面上,且与所述薄膜晶体管的栅极同层设置;光电转换膜层,所述光电转换膜层设置在所述第一电极与所述薄膜晶体管的漏极之间并与所述第一电极和所述漏极电连接。发明人发现,该平板探测器结构简单,易于实现,厚度较薄,薄膜晶体管的栅极与第一电极同层设置可以简化结构,节省工艺步骤,并且将光电转换膜层设置在第一电极与漏极之间也可以从整体上减少工艺步骤,从而可以大大提高工厂的产能,同时该平板探测器的良率较高,在运输或者使用过程中可以有效防止被划伤。
搜索关键词: 平板 探测器 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种平板探测器,其特征在于,包括:衬底;薄膜晶体管,所述薄膜晶体管设置在所述衬底的第一表面上;第一电极,所述第一电极设置在所述第一表面上,且与所述薄膜晶体管的栅极同层设置;光电转换膜层,所述光电转换膜层设置在所述第一电极与所述薄膜晶体管的漏极之间并与所述第一电极和所述漏极电连接。
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