[发明专利]平板探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种平板探测器，其特征在于，包括：

衬底；

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述衬底的第一表面上；

第一电极，所述第一电极设置在所述第一表面上，且与所述薄膜晶体管的栅极同层设置；

光电转换膜层，所述光电转换膜层设置在所述第一电极与所述薄膜晶体管的漏极之间并与所述第一电极和所述漏极电连接。

2.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，还包括：

透明电极，所述透明电极设置在所述光电转换膜层靠近所述第一电极的表面上，且所述光电转换膜层在所述衬底上的正投影和所述透明电极在所述衬底上的正投影存在重叠区域，所述重叠区域与所述第一电极在所述衬底上的正投影至少部分不重叠。

3.根据权利要求2所述的平板探测器，其特征在于，所述透明电极在所述衬底上的正投影覆盖所述光电转换膜层在所述衬底上的正投影。

4.根据权利要求2所述的平板探测器，其特征在于，所述透明电极和所述光电转换膜层的形状一致。

5.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，还包括：第二电极，所述第二电极与所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置，且所述第二电极与所述第一电极电连接。

6.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，包括：

所述衬底；

所述薄膜晶体管的栅极和所述第一电极，所述薄膜晶体管的栅极和所述第一电极同层设置在所述衬底的第一表面上；

透明电极，所述透明电极设置在所述第一电极远离所述衬底的表面上；

所述光电转换膜层，所述光电转换膜层设置在所述透明电极远离所述衬底的表面上；

所述薄膜晶体管的栅绝缘层，所述薄膜晶体管的栅绝缘层设置在所述衬底的第一表面上，且覆盖所述栅极、所述光电转换膜层的部分表面和所述第一电极的部分表面；

所述薄膜晶体管的有源层，所述薄膜晶体管的有源层设置在所述栅绝缘层远离所述衬底的表面上；

所述薄膜晶体管的源极和漏极，所述薄膜晶体管的源极和漏极设置在所述栅绝缘层远离所述衬底的表面上，分别覆盖所述有源层的部分表面，且所述漏极覆盖所述光电转换膜层的至少部分表面；

第二电极，所述第二电极设置在所述栅绝缘层远离所述衬底的表面上，且通过过孔与所述第一电极电连接；

平坦化层，所述平坦化层设置在所述栅绝缘层远离所述衬底的表面上，且覆盖所述源极、漏极和所述第二电极；

阻挡层，所述阻挡层设置在所述平坦化层远离所述衬底的表面上，且在所述衬底上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底上的正投影。

7.一种制备权利要求1-6任一项所述的平板探测器的方法，其特征在于，包括：

在衬底的第一表面上形成薄膜晶体管和第一电极，所述第一电极和所述薄膜晶体管的栅极通过一次构图工艺形成；

在所述第一电极与所述薄膜晶体管的漏极之间形成光电转换膜层，所述光电转换膜层与所述第一电极和所述漏极电连接。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在形成所述光电转换膜层之前，还包括在所述第一电极远离所述衬底的表面上形成透明电极的步骤。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述光电转换膜层与所述透明电极利用同一掩膜版形成。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：

形成第二电极的步骤，所述第二电极与所述薄膜晶体管的源极和漏极通过一次构图工艺形成。