[发明专利]平板探测器及其制备方法

说明书

本发明提供了平板探测器及其制备方法。其中，平板探测器包括：衬底；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述衬底的第一表面上；第一电极，所述第一电极设置在所述第一表面上，且与所述薄膜晶体管的栅极同层设置；光电转换膜层，所述光电转换膜层设置在所述第一电极与所述薄膜晶体管的漏极之间并与所述第一电极和所述漏极电连接。发明人发现，该平板探测器结构简单，易于实现，厚度较薄，薄膜晶体管的栅极与第一电极同层设置可以简化结构，节省工艺步骤，并且将光电转换膜层设置在第一电极与漏极之间也可以从整体上减少工艺步骤，从而可以大大提高工厂的产能，同时该平板探测器的良率较高，在运输或者使用过程中可以有效防止被划伤。

技术领域

本发明涉及光电转换技术领域，具体的，涉及平板探测器及其制备方法。

背景技术

平板探测器尤其是非晶硅二极管平板探测器由于易大尺寸、高分辨率、高灵敏度、低噪声而获得大量客户的偏爱，但是传统的制备平板探测器的工艺都是通过多次掩模(MASK)工艺才能完成，制备过程较为复杂，成本较高，这大大影响了工厂的产能，而且也会影响产品的良率。

因而，目前的平板探测器仍有待改进。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种结构简单、易于实现、良率较高或者可以通过较少的MASK即可制备得到的平板探测器。

在本发明的一个方面，本发明提供了一种平板探测器。根据本发明的实施例，该平板探测器包括：衬底；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述衬底的第一表面上；第一电极，所述第一电极设置在所述第一表面上，且与所述薄膜晶体管的栅极同层设置；光电转换膜层，所述光电转换膜层设置在所述第一电极与所述薄膜晶体管的漏极之间并与所述第一电极和所述漏极电连接。发明人发现，该平板探测器结构简单，易于实现，厚度较薄，薄膜晶体管的栅极与第一电极同层设置可以简化结构，节省工艺步骤，并且将光电转换膜层设置在第一电极与漏极之间也可以减少工艺步骤，从而可以大大提高工厂的产能，同时该平板探测器的良率较高，在运输或者使用过程中可以有效防止被划伤。

根据本发明的实施例，该平板探测器还包括：透明电极，所述透明电极设置在所述光电转换膜层靠近所述第一电极的表面上，且所述光电转换膜层在所述衬底上的正投影和所述透明电极在所述衬底上的正投影存在重叠区域，所述重叠区域与所述第一电极在所述衬底上的正投影至少部分不重叠。由此，可以有效增大光电转换膜层接收光线的面积，使得其感应到的光信号较为全面，光电转换效率较高，且透明电极与光电转换膜层的接触面积较大，可以有效收集光电转换膜层的电信号并将其输送到第一电极，收集的电信号的完整性和全面性好，使得平板探测器的灵敏度较高，使用性能较佳。

根据本发明的实施例，所述透明电极在所述衬底上的正投影覆盖所述光电转换膜层在所述衬底上的正投影。由此，透明电极可以收集几乎全部光电转换膜层上的电信号，使得平板探测器的灵敏度更高，使用性能更佳。

根据本发明的实施例，所述透明电极和所述光电转换膜层的形状一致。由此，可以利用同一张掩膜版制备透明电极和光电转换膜层，减少MASK的使用，简化工艺步骤，有效提高工厂的产能。

根据本发明的实施例，该平板探测器还包括：第二电极，所述第二电极与所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置，且所述第二电极与所述第一电极电连接。由此，结构简单，易于实现，在制备过程中可以简化工艺步骤，有效提高工厂的产能，并且良率较高。