[发明专利]接触孔的形成方法及图像传感器

摘要

本发明技术方案公开了一种接触孔的形成方法及图像传感器，所述接触孔的形成方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上定义出逻辑区和像素区，逻辑区和像素区分别形成有器件结构；在像素区的器件结构上形成第一绝缘层；在逻辑区的器件结构上形成金属硅化物阻挡层；在金属硅化物阻挡层上和第一绝缘层上形成第二绝缘层；刻蚀像素区的第二绝缘层，以使像素区的第二绝缘层的表面与逻辑区的第二绝缘层的表面齐平；在表面齐平的第二绝缘层上形成层间介质层；刻蚀层间介质层、第二绝缘层及第一绝缘层至露出金属硅化物阻挡层和像素区的器件结构，形成接触孔。本发明的技术方案可以在接触孔刻蚀时减少金属硅化物的损耗，从而降低接触孔的接触电阻。

主权项

1.一种接触孔的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上定义出逻辑区和像素区，所述逻辑区和像素区分别形成有器件结构；在所述像素区的器件结构上形成第一绝缘层；在所述逻辑区的器件结构上形成金属硅化物阻挡层；在所述金属硅化物阻挡层上和所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；刻蚀像素区的第二绝缘层，以使所述像素区的第二绝缘层的表面与所述逻辑区的第二绝缘层的表面齐平；在表面齐平的所述第二绝缘层上形成层间介质层；刻蚀所述层间介质层、所述第二绝缘层及所述第一绝缘层至露出所述金属硅化物阻挡层和所述像素区的器件结构，形成接触孔。