[发明专利]微发光二极管模块及其制法在审

申请号：	201810212507.1	申请日：	2018-03-15
公开（公告）号：	CN110164899A	公开（公告）日：	2019-08-23
发明（设计）人：	李远智;李家铭	申请（专利权）人：	同泰电子科技股份有限公司
主分类号：	H01L27/15	分类号：	H01L27/15;H01L33/62
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司 11227	代理人：	王宝筠
地址：	中国台湾台***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：	本发明提供一种微发光二极管模块，其包括多个并排的覆晶LED及一光感成像介质层，该等覆晶LED具有一发光侧及一电连接侧，各该覆晶LED的电连接侧具有一P极电接点及一N极电接点，电介质层形成于该等覆晶LED的电连接侧，且电介质层内形成有多个电信道，该等电信道中形成有多个分别对应该等覆晶LED的P极电接点及N极电接点的电路，各该电路并与其相对应的P极电接点或N极电接点接触。本发明通过在预先排列好的LED数组上直接重制电路，不但加工良率高，制程时间也预计可以大幅缩短。
搜索关键词：	电接点覆晶电连接微发光二极管电路电介质层成像介质电信良率制程制法发光加工
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【主权项】：

1.一种微发光二极管模块，其特征在于，包括：多个并排的覆晶LED，该等覆晶LED具有一发光侧及一电连接侧，各该覆晶LED的电连接侧具有一P极电接点及一N极电接点；以及一电介质层，形成于该等覆晶LED的电连接侧，该电介质层内形成有多个电信道，该等电信道中形成有多个分别对应该等覆晶LED的P极电接点及N极电接点的电路，各该电路并与其相对应的P极电接点或N极电接点接触。

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摘要：一种发光器件，包括：衬底；发光单元，每个发光单元包括：包括下半导体层和上半导体层的发光结构、上电极以及下电极；将发光单元中的第一发光单元的下电极与发光单元中的第二发光单元的上电极电连接的导电互连层；以及布置为从上电极与上半导体层之间延伸的电流阻挡层，其中每个发光单元还包括布置为将第二发光单元的上电极电连接到第二发光单元的上半导体层的导电层。

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摘要：提供了显示设备和制造显示设备的方法。显示设备包括衬底、开关元件、第一绝缘层、第一对准电极和第二对准电极、第二绝缘层、第一驱动电极、第二驱动电极以及发光元件，其中，开关元件位于衬底上，第一绝缘层位于开关元件上，第一对准电极和第二对准电极设置在第一绝缘层上以彼此面对，第二绝缘层位于第一对准电极和第二对准电极上，第一驱动电极位于第二绝缘层上并且连接至开关元件，第二驱动电极设置在第二绝缘层上以面对第一驱动电极，发光元件位于第一驱动电极和第二驱动电极之间，且第一对准电极和第二对准电极之间的距离小于第一驱动电极和第二驱动电极之间的距离。

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申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L27/15
摘要：本发明公开了一种微发光二极管显示器的发光单元共平面结构，该微发光二极管显示器是由多个发光单元在一基板上排列形成一阵列所构成，该发光单元是由红、绿、蓝LED芯片排列设在一载板上所构成，其中：在该发光单元所包含的红、绿、蓝LED芯片中至少有一LED芯片的高度相对大于其余各LED芯片的高度以致其间形成一高度差，其中在该载板第一面上设有至少一凹槽供容置该高度相对较大的LED芯片，其中各凹槽具有一深度且该深度近乎等于该高度差，藉此该红、绿、蓝LED芯片能在该载板上形成共平面状态以增进该微发光二极管显示器在不同视角的发光均匀度。

电子装置-201811103069.1
发明人：曾名骏;毛立维 -专利权人：群创光电股份有限公司
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摘要：本发明公开了一种电子装置，其包括基板、多个薄膜晶体管以及多个发光二极管元件。薄膜晶体管设置于基板表面，各个薄膜晶体管分别包括源极、栅极、漏极以及通道区，其中通道区位于漏极与源极之间并具有通道长度与通道宽度，且通道宽度大于通道长度。发光二极管元件在基板上成一阵列设置，其中发光二极管元件分别电连接于薄膜晶体管的至少其中一个，且薄膜晶体管是用来作为所电连接的所述发光二极管元件的驱动元件。

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摘要：提供了一种像素型半导体发光装置及其制造方法，所述半导体发光装置包括彼此分隔开并且以矩阵形式布置的多个发光器件结构。垫区域至少部分地围绕多个发光器件结构。垫区域设置在多个发光器件结构的外部。分隔结构设置在多个发光器件结构的第一表面上，并且还设置在多个发光器件结构中的相邻的发光器件结构之间。分隔结构在多个发光器件结构内限定多个像素空间。荧光层设置在多个发光器件结构的第一表面上，并且填充多个像素空间中的每个。

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申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L27/15
摘要：一种全色堆栈式外延的Micro‑LED阵列制备方法，属于半导体技术领域。堆栈式红、蓝、绿三色发光单元以三列为一周期，其外延结构自下而上在同一导电衬底上堆栈式外延红、绿、蓝三种发光单元作为发光单元，之后再利用掩膜和湿法刻蚀技术制成红、蓝、绿三种发光单元。所述微隔离结构，利用沉积、掩膜、刻蚀技术在所述导电衬底上制备SiO₂或者SiN_x栅格状微隔离结构，栅格中裸露出所述导电衬底，作为发光单元的外延窗口。

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发明人：黎子兰;李成果;张树昕 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L27/15
摘要：本实用新型提供了一种半导体发光器件及其制作方法，所述半导体发光器件的发光单元是基于氮化物成核层选区生长得到，相邻的发光单元之间相互分隔，不需要再使用刻蚀或切割等工艺分割发光单元，简化了制作工艺流程，并且抑制了刻蚀或切割器件表面形成的非辐射复合中心。进一步地，通过对P型电极层和N型电极层的不同连接方式的制作，可以形成交流发光器件或高压发光器件，得到交流LED或者高压LED。

显示设备-201910292662.3
发明人：金东旭 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L27/15
摘要：公开了显示设备，所述显示设备包括衬底、多个像素、第一发光元件和第二发光元件以及颜色转换层，其中，衬底包括显示区域和非显示区域，所述多个像素设置在显示区域中，所述多个像素包括各自具有配置为发光的发光区域的第一子像素、第二子像素和第三子像素，第一发光元件设置在第一子像素和第二子像素中的每个中且发射第一颜色光，第二发光元件设置在第三子像素中且发射第二颜色光，颜色转换层对应于第一子像素和第二子像素中的每个，颜色转换层针对每个相应的子像素将第一颜色光转换成设定颜色的光。

微发光二极管阵列基板及显示面板-201710106472.9
发明人：陈黎暄 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
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摘要：本发明提供了一种微发光二极管阵列基板，包括玻璃基板，所述玻璃基板上依次形成有栅极、绝缘层，在绝缘层上形成有半导体层以及像素电极，在半导体层上设有源极、漏极，所述漏极与相邻的像素电极连接，在像素电极上连接有微发光二极管，所述栅极、源极、漏极、像素电极以及与微发光二极管的管脚连接的引线均采用石墨烯导电材料制备得到。本发明还提供了一种显示面板，包括所述的微发光二极管阵列基板，在微发光二极管上分别设有色阻层。与现有技术相比，首先，通过在栅极、源极、漏极、像素电极以及与微发光二极管的管脚连接的引线均采用石墨烯导电材料制备得到，从而使得微发光二极管处的热量能够经被传导至其他区域，从而提高散热能力。

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发明人：司空坦;金容一;成汉珪;延智慧;李忠善;黄智焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L27/15
摘要：提供了一种发光二极管显示装置。所述发光二极管显示装置包括：显示板，包括多个单元像素；驱动电路板，包括与所述多个单元像素对应的多个驱动电路区域；以及多个凸块，置于所述多个单元像素与所述多个驱动电路区域之间。所述多个单元像素包括包含第一P电极的第一单元像素。所述多个驱动电路区域包括与第一单元像素对应的第一驱动电路区域，第一驱动电路区域包括连接到第一驱动晶体管的第一焊盘，所述多个凸块包括第一凸块，第一凸块包括与第一焊盘接触的第一焊料和在第一焊料上并与第一P电极接触的第一填料，第一焊料包括锡和银中的至少一种，并且第一填料包括铜或镍。

量子点和包括量子点的量子点薄膜、LED封装以及显示装置-201610754547.X
发明人：张庆国;金柄杰;金玮镕;金奎男;金熙悦;禹成日;金度衡;李太阳 -专利权人：乐金显示有限公司
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摘要：一种量子点，所述量子点包括籽晶和包围籽晶的核。从籽晶生长核以提高核的尺寸均匀性。籽晶包括没有Cd的第一化合物。第一化合物可为GaP。核可包括包含来自XIII族和XV族的元素的第二化合物。第二化合物可为InP。量子点还可包括包围核的第三化合物的第一外壳。第三化合物可为ZnSe或ZnS。量子点还可包括包围第一外壳的第四化合物的第二外壳。当第三化合物为ZnSe时，第四化合物可为ZnS。实施方式还涉及包括选自XIII族元素和XV族元素的第一至第三元素和选自XII族元素和XVI族元素的第四至第六元素的量子点。

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申请日： 2017-04-01 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L27/15
摘要：本发明公开了硅衬底悬空LED直波导耦合集成光子器件及其制备方法，该光子器件包括硅衬底层，在其上形成外延缓冲层，在外延缓冲层上形成P‑N结，p‑GaN层上设置有p‑电极，在n‑GaN层上表面通过刻蚀形成阶梯状台面，上台面与InGaN/GaN量子阱的底面连接，下台面上设置有n‑电极，n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱、p‑GaN层、p‑电极和n‑电极构成LED器件，LED器件上集成有光波导，在光波导上有支撑结构，在n‑GaN层下方设置有与p‑电极、n‑电极、耦合区和光波导的位置正对且贯穿硅衬底层、外延缓冲层的空腔。本发明器件将光源和光波导集成在同一片晶圆上，使LED发出的光沿着光波导传输，解决光在光波导内传输难题的同时，采用直波导耦合互连的方式，实现了片内不同光子器件之间的互连。

显示屏以及显示装置-201610099220.3
发明人：李元;丁渊 -专利权人：上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L27/15
摘要：本发明公开了一种显示屏以及显示装置，其中显示屏为直下式纳米线发光二极管显示屏，包括像素单元，像素单元包括：基板；金属层，金属层位于基板上；抗反射层，抗反射层位于金属层背离基板的一侧，且在第一方向上覆盖金属层，第一方向垂直于基板；发光区，发光区包括纳米线发光元件。本发明实施例提供的显示屏，能够有效地减弱甚至消除显示屏像素单元的金属层对于外部光线的反射作用，改善显示屏在强光照射下的显示效果，提升显示屏的显示性能。

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发明人：赵显敏;朴镕汉;金圣哲;秋惠容;金大贤;宋根圭;李周悦;林白铉 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L27/15
摘要：显示装置能够提高发光效率和显示质量，并且包括基底、薄膜晶体管、第一电极、第二电极、多个发光元件、绝缘层和反射层，其中，薄膜晶体管位于基底上，第一电极位于基底上并连接至薄膜晶体管，第二电极位于基底上，并与第一电极间隔开，多个发光元件位于第一电极与第二电极之间，并且电连接至第一电极和第二电极中的每个，绝缘层位于多个发光元件上，反射层位于绝缘层上。多个发光元件中的每个包括：第一半导体层、位于第一半导体层上的有源层以及位于有源层上的第二半导体层。

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发明人：安范模;朴胜浩 -专利权人：普因特工程有限公司
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L27/15
摘要：本发明涉及一种检查微发光二极管是否为良品或不良品而将属于不良品的微发光二极管更换为属于良品的微发光二极管的微发光二极管的转印及修复方法，尤其涉及一种在将微发光二极管转印到显示基板时，检查属于不良品的微发光二极管而去除，将属于良品的微发光二极管更换到所述属于不良品的微发光二极管曾处的位置而进行修复的微发光二极管的转印及修复方法。

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发明人：安范模;朴胜浩 -专利权人：普因特工程有限公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L27/15
摘要：本发明涉及一种微发光二极管半成品模块，更详细而言，涉及一种以可个别地接合到第二基板的方式制作的微发光二极管半成品模块，所述半成品模块是在第一基板安装多个微发光二极管而模块化而成。由此，可制作利用微发光二极管的大面积显示器且易于管理不良率。

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摘要：本申请提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置，其中阵列基板上制作具有二维电子气层的开关管和LED形成的发光单元，通过给开关管的第三电极层施加电压，控制二维电子气层的夹断或打开，从而控制开关管的第一电极层和第二电极层的断开或导通，其中，开关管的第二电极层与LED的P型半导体层上的透明导电层电性连接，而LED的N型半导体层与第三传输线相连，在第三传输线上通电，控制第三电极层的电势，进而控制LED的P型半导体层和N型半导体层上的电流，进而控制LED的点亮或关闭，从而达到显示画面的目的。由于二维电子气层的高迁移率，可以使得开关管小型化，进而实现LED作为小型电子设备的高分辨率显示屏幕。

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发明人：徐明升;王晓敏;葛磊 -专利权人：山东大学
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L27/15
摘要：本发明涉及一种倒装GaN基HEMT‑LED集成器件，自上而下依次包括衬底、缓冲层，缓冲层的下表面一部分设置有N型导电层，另一部分设置有氮化镓(GaN)沟道层，在N型导电层的下表面自上而下依次包括多量子阱有源区、P型导电层、P型欧姆接触反射镜、P电极和P电极基板，氮化镓(GaN)沟道层的下表面设置有铝镓氮(AlGaN)势垒层，铝镓氮(AlGaN)势垒层的下表面设置有源电极和栅电极，源电极和栅电极分别连接有源电极基板、栅电极基板，P电极基板、源电极基板和栅电极基板共同设置在散热基板上并与散热基板接触，本发明的集成器件与散热基板通过金属电极接触，热阻小，散热效果好，可以有效的降低HEMT‑LED器件的结温，提高器件发光效率、可靠性和使用寿命。

发光二极管管芯基板及其应用显示装置-201610227275.8
发明人：刘同凯;谢朝桦;陈柏锋;黄婉玲 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2016-04-13 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L27/15
摘要：本发明公开一种发光二极管管芯基板及其应用显示装置。该发光二极管管芯基板包括：基材、多个第一微型发光二极管管芯及多个第二微型发光二极管管芯。第一微型发光二极管管芯沿第一方向及第二方向形成至少一第一阵列，各第一发光二极管管芯沿第一方向具有一第一边长，沿该第二方向具有一第二边长。第二微型发光二极管管芯沿着第一方向及第二方向形成至少一第二阵列，各第二发光二极管管芯沿第一方向具有第三边长，沿该第二方向具有第四边长。其中，该第一边长等于该第三边长，而该第二边长不等于该第四边长。

一种用于Micro-LED巨量转移的可控分散及转移方法-201811491491.9
发明人：杨冠南;崔成强;陈新;刘强 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L27/15
摘要：一种用于Micro‑LED巨量转移的可控分散方法及转移方法，包括分散平台，分散平台在旋转的同时进行升降或喷气，从而使放置在分散平台上的芯片做自由离心运动进而分散；a)芯片转移，将晶圆上的Micro‑LED芯片转移到橡胶承载片上；b)自由离心动作，橡胶承载片固定于离心式分散平台上，平台转动的同时进行升降或喷气，使芯片进行离心分散，经过单次或数次分散，使芯片阵列达到所需间隔和排布；c)芯片转移，将橡胶承载片上的芯片与承载基板上的焊盘对准，将芯片转移到基板的焊盘上。本方案利用Micro‑LED在分散平台做离心抛体运动的方式和倒装，实现巨量Micro‑LED的可控分散与转移。

微发光二极管显示面板及其制作方法-201710370731.9
发明人：卢马才 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L27/15
摘要：本发明提供一种微发光二极管显示面板及其制作方法。该微发光二极管显示面板通过在像素凹槽内填充树脂粘合层，并将微发光二极管压入并固定到树脂粘合层中，同时通过连接电极将微发光二极管的底部的电极引导到微发光二极管的顶部，使得微发光二极管两个电极都处于顶部，方便所述微发光二极管的电极与电极触点的连接，能够降低微发光二极管的电极邦定难度，提升微发光二极管的电极邦定的可靠性。

微发光二极管显示面板及其制作方法-201710370730.4
发明人：卢马才 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L27/15
摘要：本发明提供一种微发光二极管显示面板及其制作方法。该微发光二极管显示面板的衬底基板上设有间隔排列的第一电极触点和第二电极触点，所述第一电极触点和第二电极触点分别与微发光二极管的底电极和连接电极接触，所述连接电极还与微发光二极管的顶电极接触，能够在微发光二极管转印后直接进行微发光二极管的检测，降低产品检测及修复的难度，提升产品良率。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的

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[发明专利]微发光二极管模块及其制法在审

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