[发明专利]焊盘结构和集成电路晶粒在审
| 申请号： | 201810201455.8 | 申请日： | 2018-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN108573945A | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 陈俊良 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 李庆波 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种焊盘结构，形成在集成电路晶粒上，包括：第一导电层，形成在集成电路晶粒的上表面上并具有中空部分；介电层，覆盖所述第一导电层；第二导电层，形成在所述介电层上并电连接到所述第一导电层；以及钝化层，覆盖所述第二导电层，并具有暴露所述第二导电层以接收接合引线的开口。由于第一导电层具有中空部分，并且在第一导电层上方的第二导电层接收接合引线，第一导电层的机械应力可以得到释放。并且当接合引线接合到第二导电层上时，第一导电层不容易发生例如破裂等损坏，从而降低了焊盘结构在引线接合期间损坏的可能。 | ||
| 搜索关键词： | 第一导电层 第二导电层 集成电路晶粒 焊盘结构 接合引线 介电层 中空 机械应力 引线接合 接合 电连接 钝化层 上表面 覆盖 开口 破裂 释放 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种焊盘结构，形成在集成电路晶粒上，其特征在于，包括：第一导电层，形成在所述集成电路晶粒的上表面上并具有中空部分；介电层，覆盖所述第一导电层；第二导电层，形成在所述介电层上并电连接到所述第一导电层；以及钝化层，覆盖所述第二导电层，并具有暴露所述第二导电层以接收接合引线的开口。
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