[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201810199148.0 | 申请日： | 2018-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN108573950A | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 森田健士;加藤伸二郎;秋野胜;井村行宏 | 申请（专利权）人： | 精工半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;崔立宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置具有：基板(1)；设置于基板(1)上的布线(6)；设置于布线(6)上的氮化钛膜(7)；设置于氮化钛膜(7)上的氧化膜(3)；和设置于氧化膜(3)上的氮化硅膜(4)，在形成于氮化硅膜(4)的第1开口部(91)和形成于氮化钛膜(7)的第2开口部(92)在俯视时重叠的位置、并且是形成于氧化膜(3)的第3开口部(93)的俯视内侧的位置上，形成有布线(6)露出而成的焊盘部(8)，由此制成在配置于第3开口部(93)的俯视内侧的氮化钛膜(7)上相接地形成有氮化硅膜(4)的半导体装置(10)，即便在包含氮化钛的防反射膜上设有氧化硅膜，形成防反射膜的氮化钛也难以发生腐蚀，制造中的工时也少。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 氮化钛膜 开口部 氮化硅膜 氧化膜 布线 俯视 防反射膜 氮化钛 基板 制造 氧化硅膜 接地 焊盘部 腐蚀 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有：基板；布线，该布线设置于所述基板上；氮化钛膜，该氮化钛膜设置于所述布线上；氧化膜，该氧化膜设置于所述氮化钛膜上；氮化硅膜，该氮化硅膜设置于所述氧化膜上；和焊盘部，该焊盘部形成在形成于所述氮化硅膜的第1开口部与形成于所述氮化钛膜的第2开口部在俯视时重叠的位置、并且是形成于所述氧化膜的第3开口部的俯视内侧的位置，该焊盘部是所述布线露出而成的，该半导体装置在配置于所述第3开口部的俯视内侧的所述氮化钛膜上相接地形成有所述氮化硅膜。
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