[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置具有：基板(1)；设置于基板(1)上的布线(6)；设置于布线(6)上的氮化钛膜(7)；设置于氮化钛膜(7)上的氧化膜(3)；和设置于氧化膜(3)上的氮化硅膜(4)，在形成于氮化硅膜(4)的第1开口部(91)和形成于氮化钛膜(7)的第2开口部(92)在俯视时重叠的位置、并且是形成于氧化膜(3)的第3开口部(93)的俯视内侧的位置上，形成有布线(6)露出而成的焊盘部(8)，由此制成在配置于第3开口部(93)的俯视内侧的氮化钛膜(7)上相接地形成有氮化硅膜(4)的半导体装置(10)，即便在包含氮化钛的防反射膜上设有氧化硅膜，形成防反射膜的氮化钛也难以发生腐蚀，制造中的工时也少。

技术领域

本发明涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。

背景技术

以往，作为半导体装置，具有下述半导体装置：其具有设置于基板上的包含铝或铝合金的布线、设置于布线上的包含氮化钛的防反射膜和设置于防反射膜上的氧化膜，在形成于氧化膜的开口部与形成于防反射膜的开口部在俯视时重叠的位置上，形成有布线露出而成的焊盘部。

对于这样的半导体装置而言，由于与高温高湿度环境下的偏压施加相伴的长期可靠性试验(THB)，形成包围开口部的防反射膜的氮化钛有时会发生腐蚀。

为了解决该问题，提出了形成防反射膜的氮化钛不在开口部内露出的半导体装置。

例如，专利文献1提出了一种半导体装置，其具备：在焊盘上形成有第1开口部的第1表面保护膜；和在焊盘上形成有第2开口部的形成于焊盘和第1表面保护膜上的第2表面保护膜，焊盘具有第1导体膜和形成于第1导体膜上的防反射膜，在第1开口部的内部区域中内包有第2开口部，在第1开口部的内部区域中防反射膜被除去。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5443827号

发明内容

发明所要解决的课题

但是，对于专利文献1中记载的技术来说，由于除去了形成于第1表面保护膜的第1开口部的内部区域的防反射膜，因此，为了形成第1开口部，对包含氧化硅膜的第1表面保护膜进行图案化并蚀刻后，必须替换蚀刻气体而对包含氮化钛的防反射膜进行蚀刻并除去，存在工时增加的问题。

另外，对于现有的半导体装置而言，特别是在包含氮化钛的防反射膜上设有氧化硅膜的情况下，由于与高温高湿度环境下的偏压施加相伴的长期可靠性试验(THB)，防反射膜有时会成为氧化钛而引起外观不良。

本发明是鉴于上述情况而进行的，其课题在于提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置即便在包含氮化钛的防反射膜上设有氧化硅膜，也难以发生形成防反射膜的氮化钛的腐蚀，制造中的工时也少。

用于解决课题的手段

因此，本发明人为了解决上述课题反复进行了深入研究。

其结果发现制成下述半导体装置即可，该半导体装置在形成于作为保护膜的氮化硅膜的第1开口部与形成于作为防反射膜的氮化钛膜的第2开口部在俯视时重叠的位置、并且是形成于氧化膜的第3开口部的俯视内侧的位置上形成有布线露出而成的焊盘部，并在配置于第3开口部的俯视内侧的氮化钛膜上相接地形成有氮化硅膜。由此完成了本发明。

即，本发明涉及下述事项。

一种半导体装置，其特征在于，

该半导体装置具有：

基板；

布线，该布线设置于所述基板上；

氮化钛膜，该氮化钛膜设置于所述布线上；

氧化膜，该氧化膜设置于所述氮化钛膜上；和