[发明专利]制作集成电路装置的方法在审
申请号: | 201810190899.6 | 申请日: | 2018-03-08 |
公开(公告)号: | CN109841612A | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 比斯瓦思希兰梅;王中兴;林晋申;杨国男 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G06F17/50 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种制作集成电路装置的方法。设计集成电路装置的方法包括接收集成电路装置的初始设计,所述初始设计包括集成电路组件的功能群组的选择及位置、具有用于向组件供电的多层导电线的电源网格以及对不同层的导电线进行内连的具有一种或多种初始大小的通孔。所述方法还包括基于例如存在功能部件的未被占据的空间等预定准则来确定可进行通孔修改。所述方法还包括使用具有更大横截面积的经修改通孔或总横截面积比初始通孔大的多个通孔替代所述通孔中的一个或多个通孔。所述方法还包括确认经修改的设计符合预定的一组设计规则。 | ||
搜索关键词: | 通孔 集成电路装置 导电线 集成电路组件 大横截面 电源网格 功能部件 功能群组 设计规则 预定准则 总横截面 多层 制作 供电 替代 占据 | ||
【主权项】:
1.一种制作集成电路装置的方法,其特征在于,所述方法包括:通过接收第一层导电接点中的第一导电接点部分的位置及第二层导电接点中的第二导电接点部分的位置、对所述第一导电接点部分与所述第二导电接点部分进行电内连的第一通孔的位置及第一大小以及集成电路组件的功能群组的选择及位置来接收集成电路装置的第一设计;基于预定准则来确定能够对所述第一设计进行修改;通过使用具有更大横截面积的经修改通孔或总横截面积比所述第一通孔大的多个通孔替代所述第一通孔来修改所述集成电路装置的所述第一设计;以及确认经修改的所述第一设计符合预定的一组设计规则。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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