[发明专利]一种半导体晶圆结构的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201810188891.6 | 申请日： | 2018-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN110246737B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体晶圆结构的刻蚀方法，对待刻蚀半导体晶圆结构进行刻蚀，通入于边缘区域的刻蚀气体的流量大于通入于中心区域的刻蚀气体的流量且施加于待刻蚀半导体晶圆结构的射频偏压功率大于标准射频偏压功率，以增强边缘区域的刻蚀速率，提高待刻蚀半导体晶圆结构的刻蚀均匀性，避免相邻的两个刻蚀槽连接在一起，造成漏电，有效降低阻值，提高后续制备的半导体晶圆结构的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶圆结构的刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：1)提供待刻蚀半导体晶圆结构，所述待刻蚀半导体晶圆结构具有中心区域及包围所述中心区域的边缘区域，所述边缘区域由边缘环包围；2)对所述待刻蚀半导体晶圆结构进行刻蚀，当所述边缘环与所述待刻蚀半导体晶圆结构具有不同高度时，所述刻蚀包括过刻蚀步骤；在所述过刻蚀步骤中，通入于所述边缘区域的刻蚀气体的流量大于通入于所述中心区域的刻蚀气体的流量，且施加于所述待刻蚀半导体晶圆结构的射频偏压功率大于标准射频偏压功率，所述标准射频偏压功率为当所述边缘环的高度与所述待刻蚀半导体晶圆结构的高度相等时施加于所述待刻蚀半导体晶圆结构的射频偏压功率。
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