[发明专利]一种利用化学自组装制造线宽可控的SWNT规模阵列的方法在审
| 申请号： | 201810183420.6 | 申请日： | 2018-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN108467009A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 崔健磊;张建伟;梅雪松;王文君;王恪典;刘斌;段文强;凡正杰 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 贺建斌 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种利用化学自组装制造线宽可控的SWNT规模阵列的方法，先将SWNT在十二烷基硫酸钠水溶液中超声得到水环境中非共价修饰的SWNT；然后在二氧化硅基底表面涂覆聚甲基丙烯酸甲酯，电子束曝光获得PMMA‑SiO2基底，将PMMA‑SiO2基底进行氧等离子体清洗，浸入氨丙基三乙氧基硅烷和无水乙醇的溶液中，丙酮清洗，再浸入十八烷基三氯硅烷和无水乙醇的溶液中，得到在SiO2表面构筑自组装膜的功能化基底；最后将非共价修饰的SWNT转移到功能化基底表面，确保移液量完全覆盖功能化基底，大气环境中自然蒸发晾干，去离子水超声洗涤，重复转移、晾干、超声洗涤，即得到SWNT规模阵列，本发明组装工艺简单，阵列清晰，SWNT在线宽结构内排列均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 功能化 浸入 超声洗涤 无水乙醇 晾干 可控的 制造线 自组装 十二烷基硫酸钠水溶液 氨丙基三乙氧基硅烷 聚甲基丙烯酸甲酯 十八烷基三氯硅烷 电子束曝光 二氧化硅基 氧等离子体 表面涂覆 丙酮清洗 大气环境 共价修饰 基底表面 去离子水 自然蒸发 自组装膜 组装工艺 非共价 宽结构 水环境 超声 移液 修饰 清洗 构筑 清晰 重复 | ||
【主权项】：
1.一种利用化学自组装制造线宽可控的SWNT规模阵列的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)非共价修饰SWNT：将SWNT在十二烷基硫酸钠SDS水溶液中超声得到水环境中非共价修饰的SWNT(1)；2)构筑自组装膜：在二氧化硅SiO2基底表面涂覆厚度为200‑700nm的聚甲基丙烯酸甲酯PMMA(2)，电子束曝光获得线宽为1‑5μm的PMMA‑SiO2基底(3)，将PMMA‑SiO2基底(3)进行氧等离子体清洗，浸入氨丙基三乙氧基硅烷APTES:无水乙醇为1:10‑1:100的溶液中，丙酮清洗，再浸入十八烷基三氯硅烷OTS:无水乙醇为1:100‑1:1000的溶液中，得到在SiO2表面构筑自组装膜的功能化基底(4)；3)组装：将非共价修饰的SWNT(1)转移到功能化基底(4)表面，确保移液量完全覆盖功能化基底(4)，大气环境中自然蒸发晾干，去离子水超声洗涤，重复转移、晾干、超声洗涤，即得到SWNT规模阵列。
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- 2019-03-14 - 2019-06-21 - B82B3/00
- 本发明公开了一种通过转移释放获取高密度纳米线阵列的方法，通过将引导沟道侧壁生长的纳米线阵列转移至预拉伸的柔性衬底，释放衬底时衬底回缩使得纳米线阵列间距减小，通过多次重复转移不断缩小纳米线阵列间距，实现平面高密度纳米线阵列的方法。本发明提供了一种获得高密度平面纳米线阵列的可靠方法，基于转移技术可将平面高密度纳米线阵列大面积转移至任意衬底，可广泛应用于半导体微纳电子器件，尤其针对大面积电子(平板显示TFT应用)、逻辑、柔性/可穿戴电子和场效应生物化学传感器件。
- 储存和释放纳米微粒的方法-201780063972.7
- 哈希姆·阿哈万·塔夫提;王国平;巴里·A·舍恩费尔纳 - 阿弗拉科技有限责任公司
- 2017-06-15 - 2019-06-18 - B82B3/00
- 本申请提出了一种用于储存和按需释放纳米微粒的方法。通过该方法生产的纳米微粒可被干燥并储存更长时间，随后按需释放在所选溶剂中，以形成稳定的悬浮液，而不需要额外的表面活性剂或稳定剂，并且没有任何功能或材料性能的损失。该方法可用于储存各类纳米材料，包括金属、金属氧化物、金属硫族化合物、磁性纳米微粒、聚合纳米微粒和半导体纳米微粒。
- 疏水制品-201580009952.2
- 刘俊英;威廉·詹姆斯·舒尔茨 - 美国陶氏有机硅公司
- 2015-04-07 - 2019-06-18 - B82B3/00
- 本发明提供了一种疏水制品，所述疏水制品包括基板和纳米粒子层，所述纳米粒子层设置在所述基板上并包含纳米粒子团聚体，其中如按照ISO 13320使用光散射测定的，所述纳米粒子团聚体具有至少100纳米的基于平均体积的尺寸。所述疏水制品还包括粘结剂层和最外层，所述粘结剂层设置在所述纳米粒子层上并与所述纳米粒子层直接接触，并且包含硅基树脂的氧化固化产物，而所述最外层与所述基板相对地设置且在所述粘结剂层上并与所述粘结剂层直接接触。如在所述疏水制品的所述最外层上测量并使用经修改的ASTM D5946‑04测定的，所述疏水制品具有大于或等于90度的水接触角。
- 一种在任意基底上大面积、多样化有机模板的制造方法-201910122379.6
- 刘广强;张鹏;李越;蔡伟平 - 中国科学院合肥物质科学研究院
- 2019-02-19 - 2019-06-14 - B82B3/00
- 本发明公开了一种在任意基底上大面积、多样化有机模板的制造方法，通过等离子体轰击的方法，制造出球形非密排有机胶体模板；通过热处理与等离子体轰击相结合的方法，制造出六方形非密排有机胶体模板；通过模板转移‑叠合与等离子体轰击相结合的策略，制造出双层非密排有机胶体模板；将所合成的三种有机胶体模板，通过无损转移的方法，转移到任何指定基底上。可以为按需(设计)构筑纳米器件提供所需的模板。
- 一种二元过渡金属氧化物薄膜纳米图形加工方法-201910148197.6
- 燕少安;王冬;龚俊;王海龙 - 湘潭大学
- 2019-02-28 - 2019-06-14 - B82B3/00
- 本发明公开了一种二元过渡金属氧化物薄膜纳米图形加工方法。该方法通过对导电原子力显微镜(C‑AFM)探针针尖施加一定的直流偏压，使二元过渡金属氧化物薄膜在与探针接触的界面处产生离子电化学反应，通过控制偏压的幅值、施加次数和针尖作用区域及扫描次数，实现对二元过渡金属氧化物薄膜不同形状的纳米图形加工。本发明不但具有纳米级加工精度、加工流程简便、超低能耗、无污染、不需要掩膜版等优点，并且本发明的方法降低了对探针针尖的物理损伤。
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