[发明专利]一种半导体晶圆孔洞制作方法

摘要

本发明涉及射频微波半导体制作技术领域，具体涉及一种半导体晶圆孔洞制作方法，包括以下步骤：在测试晶圆上分别测试得到两个孔洞的刻蚀速率，计算得到与两个孔洞的横截面积一一对应相等的测试光刻胶的刻蚀速率及两个孔洞的刻蚀时间；在晶圆表面铺设第一光刻胶层，对第一光刻胶层进行曝光并显影，形成第一图形化光刻胶层；计算得到修正光刻胶层的厚度；在晶圆表面铺设所述厚度的修正光刻胶层，对修正光刻胶层进行曝光并显影，形成第二图形光刻胶层；沿第一图形化光刻胶层对晶圆进行刻蚀，形成具有两个孔洞的晶圆。本发明以较长的刻蚀时间为基准，通过铺设修正光刻胶层来延长另一个孔洞的刻蚀时间，避免出现刻蚀深度超出预设值或损伤晶圆的情况。

主权项

1.一种半导体晶圆孔洞制作方法，其特征在于，包括：基础参数计算步骤：在与产品晶圆相同的测试晶圆上分别测试得到两个孔洞的刻蚀速率，根据刻蚀选择比计算得到与两个孔洞的横截面积一一对应相等的测试光刻胶的刻蚀速率，并根据两个孔洞的刻蚀速率和对应的刻蚀高度计算出两个孔洞的刻蚀时间；第一次光刻步骤：在晶圆表面铺设一层与测试光刻胶相同的光刻胶以形成第一光刻胶层，采用第一掩膜版对所述第一光刻胶层进行第一次曝光并显影，形成第一图形化光刻胶层；第一掩膜版具有两个孔洞图形，且两个孔洞图形与两个所述孔洞一一对应；修正步骤：根据刻蚀时间较短的孔洞的刻蚀速率、刻蚀高度，刻蚀时间较长的孔洞的刻蚀速率、刻蚀高度，以及与刻蚀时间较短的孔洞横截面积相等的光刻胶的刻蚀速率计算得到修正光刻胶层的厚度；在晶圆表面铺设一层所述厚度的与测试光刻胶相同的光刻胶以形成修正光刻胶层，采用修正掩膜版对修正光刻胶层进行曝光并显影，修正掩膜版为只具有与刻蚀时间较长的孔洞对应的孔洞图形的掩膜版，且当前曝光步骤的孔洞图形与所述第一次光刻步骤中对应的孔洞图形重合；刻蚀步骤：沿第一图形化光刻胶层对晶圆进行刻蚀，形成具有两个孔洞的晶圆。