[发明专利]一种具有多孔介质层的半导体结构的制备方法

摘要

本发明提供了一种具有多孔介质层的半导体结构的制备方法，其包括有如下步骤：提供具有互连线的下方介质层；在下方介质层上依次形成富含氮的蚀刻终止检测层、多孔层间介质层、低K缓冲层、金属硬掩模层、开口图案的光刻胶层；以光刻胶的开口图案为掩模，对下方的金属硬掩模层和低K缓冲层进行第一刻蚀；然后去除剩余的光刻胶；以开口为掩模对下方的多孔层间介质层进行第二刻蚀，第二刻蚀采用的是飞秒激光刻蚀，飞秒激光在刻蚀所述多孔层间介质层时，通过对暴露的孔结构的边缘处局部熔化使暴露的所述孔结构密封；然后采用第三刻蚀，并在刻蚀过程中通入氢气；在暴露出下方的互连线之后，持续通入氢气，最终获得多孔层间介质层中的开口结构。

主权项

1.一种具有多孔介质层的半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：提供具有互连线的下方介质层；步骤S2：在所述下方介质层上形成富含氮的蚀刻终止检测层；步骤S3：在所述富含氮的蚀刻终止检测层上依次形成多孔层间介质层、低K缓冲层、金属硬掩模层；步骤S4：在所述金属硬掩模层上形成具有开口图案的光刻胶层，其中所述开口图案对准下方的所述互连线结构，并且开口的截面的宽度小于或等于互连线的截面宽度；步骤S5：以所述光刻胶的所述开口图案为掩模，对下方的所述金属硬掩模层和低K缓冲层进行第一刻蚀；步骤S6：在所述金属硬质掩模层和所述低K缓冲层中形成开口之后，去除剩余的所述光刻胶；步骤S7：以所述开口为掩模对下方的所述多孔层间介质层进行第二刻蚀，所述第二刻蚀采用的是飞秒激光刻蚀，所述飞秒激光在刻蚀所述多孔层间介质层时，通过对暴露的孔结构的局部熔化使暴露的所述孔结构密封；步骤S8：通过检测，当刻蚀到所述富含氮的蚀刻终止检测层时，采用第三刻蚀，并在刻蚀过程中通入氢气还原气体；步骤S9：在暴露出下方的所述互连线之后，持续通入氢气，最终获得多孔层间介质层中的开口结构。