[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体晶圆有效
| 申请号： | 201810159278.1 | 申请日： | 2018-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN109509703B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 渡边慎也;平圭介 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供一种能够使用红外光使来自对准标记的信号强度提高而使得容易进行位置对准的半导体装置的制造方法及半导体晶圆。实施方式的半导体装置的制造方法是在半导体衬底的第1面的切断预定线形成对准标记。在半导体衬底的第1面上方形成积层构造。去除位于对准标记上方的积层构造。在光刻步骤中，使红外光从半导体衬底的位于与第1面为相反侧的第2面入射，使用来自对准标记的反射光，基于对准标记而进行抗蚀剂图案的位置对准。进而，按照抗蚀剂图案加工半导体衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括如下步骤：在半导体衬底的第1面的切断预定线形成对准标记；在所述半导体衬底的第1面的上方形成积层构造；去除位于所述对准标记上方的所述积层构造；在光刻步骤中，使红外光从所述半导体衬底的位于与第1面为相反侧的第2面入射，使用来自所述对准标记的反射光，基于所述对准标记进行抗蚀剂图案的位置对准；及按照所述抗蚀剂图案加工所述半导体衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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